參數(shù)資料
型號(hào)： SGP10N60RUF
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Short Circuit Rated IGBT(短路電流額定的絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
中文描述： 16 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 572K
代理商： SGP10N60RUF
2000 Fairchild Semiconductor International
SGP10N60RUF Rev. A
S
Fig 7. Capacitance Characteristics
Fig 8. Turn-On Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 9. Turn-Off Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 10. Switching Loss vs. Gate Resistance
Fig 11. Turn-On Characteristics vs.
Collector Current
Fig 12. Turn-Off Characteristics vs.
Collector Current
1
10
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
Cres
Coes
Cies
Common Emitter
V
GE
= 0V, f = 1MHz
T
C
= 25
℃
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
10
100
10
100
Common Emitter
V
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 10A
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
Ton
Tr
S
Gate Resistance, R
G
[
]
10
100
100
1000
Eoff
Eon
Eoff
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 10A
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
S
Gate Resistance, R
G
[
]
10
100
100
1000
Toff
Tf
Toff
Tf
Common Emitter
V
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 10A
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
S
Gate Resistance, R
G
[
]
6
8
10
12
14
16
18
20
10
100
Ton
Tr
Common Emitter
V
GE
=
±
15V, R
G
= 20
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
S
Collector Current, I
C
[A]
6
8
10
12
14
16
18
20
100
1000
Tf
Toff
Toff
Tf
Common Emitter
V
GE
=
±
15V, R
G
= 20
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
S
Collector Current, I
C
[A]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGP20N60RUF Short Circuit Rated IGBT(短路電流額定的絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
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SGW6N60UF Ultra-Fast IGBT(超高速轉(zhuǎn)換絕緣柵雙極晶體管)
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參數(shù)描述
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