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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SGP100SZ |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 穩(wěn)壓器 |
| 英文描述： | Primary-side-control PWM Controller |
| 中文描述： | SWITCHING CONTROLLER, 45 kHz SWITCHING FREQ-MAX, PDSO8 |
| 封裝： | LEAD FREE, SOP-8 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 12/14頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 501K |
| 代理商： | SGP100SZ |
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Product Specification
Primary-side-control PWM Controller
REFERENCE CIRCUIT
5W Flyback 5V/1A Circuit
SGP100
System General Corp.
Version 1.1.1 (IAO33.0042.B1)
- 12 -
www.sg.com.tw www.fairchildsemi.com
September 26, 2007
COMI
COMV
SGND
VDD
VS
CS
GATE
PGND
SGP100
1
2
3
4
5
6
7
8
L
N
AC
input
BD1
C1
C2
L1
R1
D1
R2
C3
R3
R4
C4
D2
R5
R6
R7
D3
C5
R8
C6
R9
R10
C7
D4
C8
R11
C9
C10
L2
R12
T1
U1
R13
BOM List
Symbol Component
Symbol
Component
Symbol Component
R1
Resistor 1.5M
Ω
1/2 W
D3
Diode 1A/1000V FR107
TR1
EE-16 Lm=1.5mH Pri:Sec:Aux=135:10:33
R2
Resistor 4.7
Ω
D4
Diode 5A/60V SB560
R3
Resistor 115K
Ω
1%
C1
Electrolytic Capacitor 1μF/400V
R4
Resistor 18K
Ω
1%
C2
Electrolytic Capacitor 10μF/400V
R5
Resistor 47
Ω
C3
Electrolytic Capacitor 10μF/50V
R6
Resistor 100
Ω
C4
MLCC X7R 47pF
R7
Resistor 1.4
Ω
1/2W 1%
C5
Snubber Cap. 222pF/1KV
R8
Resistor 150K
Ω
1/2W
C6
MLCC X7R 683pF
R9
Resistor 200K
Ω
C7
MLCC X7R 103pF
R10
Resistor 56K
Ω
C8
MLCC 102pF/100V
R11
Resistor 47
Ω
C9
Electrolytic Cap. 560μF/10V L-ESR
R12
Resistor 510
Ω
C10
Electrolytic Cap. 330μF/10V L-ESR
R13
WireWound Resistor 18
Ω
L1
Inductor 1mH
BD1
Rectifier Diode 1N4007 *4 L2
Inductor 5μH
D1
Diode 1A/200V FR103
Q1
Fairchild 2A/600V 2N60 TO-251
D2
Diode 1N4148
U1
SGP100
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SGP10N60RUFD | Short Circuit Rated IGBT |
| SGP13N60UFD | Ultra-Fast IGBT(超快速絕緣柵雙極晶體管(IGBT)) |
| SGP13N60UF | Ultra-Fast IGBT |
| SGP15N60RUF | Short Circuit Rated IGBT(短路電流額定的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)) |
| SGP23N60UFD | Ultra-Fast IGBT(超快速絕緣柵雙極晶體管(IGBT)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SGP101SZ | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| SGP10N60 | 功能描述:IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| SGP10N60 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT TO-220 |
| SGP10N60A | 功能描述:IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| SGP10N60A_09 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation |
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