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參數(shù)資料
| 型號： | SGL60N90D |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT CO-PAK (High Speed Switching Low Saturation Voltage High Input Impedance) |
| 中文描述： | 60 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| 封裝： | TO-264, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 241K |
| 代理商： | SGL60N90D |
Test Conditions
V
GE
= 0V , I
C
= 1mA
I
C
=60mA , V
CE
= 10V
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
V
GE
= 0V , f = 1MHz
V
CE
= 10V
V
CC
= 600V , I
C
= 60A
V
GE =
15V
R
G
= 51
Resistive load
I
E
= 15A
I
E
= 15A, die/dt = -100A/
μ
s
Characteristics
C - E Breakdown Voltage
G - E threshold voltage
Collector cutoff Current
G - E leakage Current
Collector to Emitter
saturation voltage
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn on time
Rise time
Turn off time
Fall time
Emitter-Collector Voltage
Reverse recovery time
Symbol
BV
CES
V
GE(th)
I
CES
I
GES
V
CE
(sat)
Cies
Coes
Cres
ton
tr
toff
tf
V
EC
trr
Min
900
4.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Typ
-
-
-
-
2.7
4500
800
200
350
250
500
250
1.5
0.7
Max
-
7.5
1.0
500
3.5
-
-
-
800
600
1000
400
2.0
2.0
Units
V
V
mA
nA
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
μ
s
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(
T
C
=25
°
C)
V
GE
= 15V, I
C
=60A
THERMAL RESISTANCE
Symbol
R
θ
JC
R
θ
JC
Characteristics
Junction-to-Case : IGBT
Junction-to-Case : Diode
Min
-
-
Typ
-
-
Max
0.625
4.0
Units
°
C/W
°
C/W
SGL60N90D
IGBT CO-PAK
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PDF描述 |
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