參數(shù)資料
型號: SGL5N150UF
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: General Description
中文描述: 10 A, 1500 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝: TO-264, 3 PIN
文件頁數(shù): 5/6頁
文件大?。?/td> 291K
代理商: SGL5N150UF
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
SGL5N150UF Rev. B
S
Package Dimension
5.45TYP
[5.45
±
0.30
]
5.45TYP
[5.45
±
0.30
]
4.90
±
0.20
20.00
±
0.20
(8.30)
(8.30)
(1.00)
(0.50)
(2.00)
(7.00)
(R1.00)
(R.0
3
±
00
(7.00)
(1.50)
(1.50)
(1.50)
2.50
±
0.20
3.00
±
0.20
2.80
±
0.30
1.00
+0.25
–0.10
0.60
+0.25
–0.10
1
±
0
6
±
0
2
±
0
2
±
0
5
±
0
3
±
0
2
±
0
(
(
(
(
(
(
(
(
TO-264 (FS PKG CODE AR)
Dimensions in Millimeters
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGL5N60RUFD CO-PAK IGBT(CO-PAK絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
SGL60N90DG3 Wide Noise Immunity IGBT(抗噪聲絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
SGL60N90D IGBT CO-PAK (High Speed Switching Low Saturation Voltage High Input Impedance)
SGM2N60UF Ultrafast IGBT
SGP100 Primary-side-control PWM Controller
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SGL5N150UFTU 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGL5N60RUFDTU 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGL60N90D 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:IGBT CO-PAK (High Speed Switching Low Saturation Voltage High Input Impedance)
SGL60N90DG3 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:General Description
SGL60N90DG3M1TU 功能描述:IGBT 晶體管 900V/60A/wFRD TO-264 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube