參數(shù)資料
型號(hào)： SGL40N150
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： Low Conduction And Switching losses IGBT(小電導(dǎo)、轉(zhuǎn)換耗損絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
中文描述： 40 A, 1500 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 348K
代理商： SGL40N150
2000 Fairchild Semiconductor International
SGL40N150 Rev. A
S
Fig 7. Turn-Off Characteristics vs.
Collector Current
Fig 8. Turn-On Characteristics vs.
Collector Current
Fig 9. Switching Loss vs. Collector Current
Fig 10. Turn-Off Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 11. Turn-On Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 12. Switching Loss vs. Gate Resistance
20
30
40
50
60
70
80
100
1000
tf
Common Emitter
V
GE
=
±
15V, R
G
= 51
T
C
= 25
T
C
= 125
o
C
o
C
tf
td(off)
S
Collector Current, I
C
[A]
10
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40
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Common Emitter
V
GE
=
±
15V, R
G
= 51
T
C
= 25
T
C
= 125
o
C
o
C
tr
td(on)
S
Collector Current, I
C
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Eoff
Eon
Common Emitter
V
GE
=
±
15V, R
G
= 51
T
C
= 25
T
C
= 125
o
C
o
C
Eoff
S
J
Collector Current, I
C
[A]
10
100
100
1000
tf
Common Emitter
V
CC
= 600V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 40A
T
C
= 25
T
C
= 125
tf
o
C
o
C
td(off)
S
Gate Resistance, R
G
[
]
10
100
10
100
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Common Emitter
V
CC
= 600V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 40A
T
C
= 25
T
C
= 125
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C
o
C
tr
td(on)
S
Gate Resistance, R
G
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10
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Eon
Eoff
Common Emitter
V
CC
= 600V, V
GE
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C
= 40A
T
C
= 25
T
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= 125
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Gate Resistance, R
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGL50N60RUFD Short Circuit Rated IGBT
SGL50N60 Short Circuit Rated IGBT
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