參數(shù)資料
型號(hào)： SGL25N120RUFD
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Short Circuit Rated IGBT
中文描述： 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 568K
代理商： SGL25N120RUFD
SGL25N120RUFD Rev. B
S
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Fig 3. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Fig 4. Load Current vs. Frequency
Fig 5. Saturation Voltage vs. V
GE
Fig 6. Saturation Voltage vs. V
GE
0
2
4
6
8
10
0
25
50
75
100
125
150
175
20V
17V
15V
12V
V
GE
= 10V
T
C
= 25
℃
C
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
25
50
75
100
125
150
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
3.0
3.2
3.4
Common Emitter
V
GE
= 15V
I
C
= 25A
40A
C
C
Case Temperature, T
C
[
℃
]
0
2
4
6
8
10
0
25
50
75
100
125
Common Emitter
V
GE
= 15V
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
C
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 25
℃
50A
25A
I
C
= 13A
C
C
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 125
℃
50A
25A
I
C
= 13A
C
C
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
0.1
1
10
100
1000
0
10
20
30
40
50
V
= 600V
Load Current : peak of square wave
Duty cycle : 50%
T
C
= 100
℃
power Dissipation = 55W
L
Frequency [KHz]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGL25N120RUF Ceramic Multilayer Capacitor; Capacitance:4700pF; Capacitance Tolerance:+50, -20 %; Working Voltage, DC:50V; Dielectric Characteristic:X7R; Package/Case:0805; Series:W2F; Features:Feedthru; Leaded Process Compatible:Yes
SGL40N150D Low Conduction And Switching losses IGBT(小電導(dǎo)、轉(zhuǎn)換耗損絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
SGL40N150 Low Conduction And Switching losses IGBT(小電導(dǎo)、轉(zhuǎn)換耗損絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
SGL50N60RUFD Short Circuit Rated IGBT
SGL50N60 Short Circuit Rated IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SGL25N120RUFDTU 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGL25N120RUFTU 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGL34 制造商:DIOTEC 制造商全稱:Diotec Semiconductor 功能描述:Surface Mount Schottky-Rectifiers
SGL34-03-LFR 制造商:FRONTIER 制造商全稱:Frontier Electronics. 功能描述:0.8A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
SGL34-04 制造商:FRONTIER 制造商全稱:Frontier Electronics. 功能描述:0.8A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*