參數(shù)資料
型號(hào)： SGL20N60RUFD
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： CO-PAK IGBT(CO-PAK絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
中文描述： 32 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 305K
代理商： SGL20N60RUFD
Characteristics
C - E Breakdown Voltage
Temperature Coeff. of
Breakdown Voltage
G - E threshold voltage
Collector cutoff Current
G - E leakage Current
Collector to Emitter
saturation voltage
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn on delay time
Turn on rise time
Turn off delay time
Turn off fall time
Turn on Switching Loss
Turn off Switching Loss
Total Switching Loss
Short Circuit withstand Time
Total Gate Charge
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector Charge
Symbol
BV
CES
V
CES/
T
J
V
GE(th)
I
CES
I
GES
V
CE
(sat)
Cies
Coes
Cres
td(on)
tr
td(off)
tf
Eon
Eoff
Ets
Tsc
Qg
Qge
Qgc
Min
600
-
5.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
Typ
-
0.6
6.0
-
-
2.0
2.4
1260
266
45
18
22
65
84
0.1
0.5
0.6
-
83
20
32
Max
-
-
8.0
250
100
2.7
-
-
-
-
-
-
95
168
-
-
1.1
-
124
30
48
Units
V
V/
°
C
V
uA
nA
V
V
pF
pF
pF
nS
nS
nS
nS
mJ
mJ
mJ
uS
nC
nC
nC
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (IGBT PART)
(T
c
=25
°
C,Unless Otherwise Specified)
Test Conditions
V
GE
= 0V , I
C
= 250uA
V
GE
= 0V , I
C
= 1mA
I
C
=20mA , V
CE
= V
GE
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
Ic=20A, V
GE
= 15V
Ic=32A, V
GE
= 15V
V
GE
= 0V , f = 1MHz
V
CE
= 30V
V
CC
= 300V , I
C
= 20A
V
GE
= 15V
R
G
= 10
Inductive Load
Vcc = 300V, V
GE
= 15V
@Tc = 100
°
C
Vcc = 300V
V
GE
= 15V
Ic = 20A
CO-PAK IGBT
SGL20N60RUFD
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGL30N60RUFD CO-PAK IGBT(CO-PAK絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
SGL60N98D CO-PAK IGBT(CO-PAK絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
SGP10N60RUF Short Circuit Rated IGBT(短路電流額定的絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
SGP20N60RUF Short Circuit Rated IGBT(短路電流額定的絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
SGR15N40L Wide Noise Immunity IGBT Suitable for Strobe Flash applications(應(yīng)用于閘門閃光的抗噪聲絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SGL-23 制造商:Pma ag 功能描述:Bulk
SGL25N120RUF 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT
SGL25N120RUFD 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT
SGL25N120RUFDTU 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGL25N120RUFTU 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*