參數(shù)資料
型號： SGL160N60UFD
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 240 x 320 pixel format (Portrait Mode), CFL Backlight available with power harness
中文描述： 160 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 662K
代理商： SGL160N60UFD
SGL160N60UFD Rev. B1
S
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Fig 14. Gate Charge Characteristics
Fig 15. SOA Characteristic
Fig 16. Turn-Off SOA Characteristics
Fig 13. Switching Loss vs. Collector Current
0
50
100
150
200
250
300
350
0
3
6
9
12
15
300 V
200 V
V
CC
= 100 V
Common Emitter
R
L
= 37.5
T
C
= 25
℃
G
Gate Charge, Q
g
[ nC ]
0.3
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
1000
Single Nonrepetitive
Pulse T
C
= 25
℃
Curves must be derated
linearly with increase
in temperature
50us
100us
1
DC Operation
I
C
MAX. (Continuous)
I
C
MAX. (Pulsed)
C
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
1
10
100
1000
1
10
100
500
Safe Operating Area
V
GE
=20V, T
C
=100
o
C
C
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
1E-3
0.01
0.1
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
single pulse
T
Rectangular Pulse Duration [sec]
Pdm
t1
t2
Duty factor D = t1 / t2
×
Zthjc + T
C
20
40
60
80
100
120
140
160
100
1000
10000
20000
Eon
Eoff
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
R
G
= 3.9
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
S
Collector Current, I
C
[A]
Fig 17. Transient Thermal Impedance of IGBT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGL160N60UF CONNECTOR ACCESSORY
SGL25N120RUFD Short Circuit Rated IGBT
SGL25N120RUF Ceramic Multilayer Capacitor; Capacitance:4700pF; Capacitance Tolerance:+50, -20 %; Working Voltage, DC:50V; Dielectric Characteristic:X7R; Package/Case:0805; Series:W2F; Features:Feedthru; Leaded Process Compatible:Yes
SGL40N150D Low Conduction And Switching losses IGBT(小電導、轉(zhuǎn)換耗損絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
SGL40N150 Low Conduction And Switching losses IGBT(小電導、轉(zhuǎn)換耗損絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SGL160N60UFDTU 功能描述:IGBT 晶體管 Dis High Perf IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGL160N60UFDTU 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT ULTRAFAST 600V 160A TO-264 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT, ULTRAFAST, 600V, 160A, TO-264
SGL160N60UFDTU 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR TYPE:IGBT
SGL160N60UFTU 功能描述:IGBT 晶體管 600V/80A/2.0V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGL-17 制造商:Pma ag 功能描述:Bulk
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