參數(shù)資料
型號： SGH15N60
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： Short Circuit Rated IGBT
中文描述： 短路額定IGBT的
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大小： 559K
代理商： SGH15N60
SGH15N60RUF Rev. A1
S
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Fig 14. Gate Charge Characteristics
Fig 15. SOA Characteristics
Fig 16. Turn-Off SOA Characteristics
Fig 17. Transient Thermal Impedance of IGBT
Fig 13. Switching Loss vs. Collector Current
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
Single Nonrepetitive
Pulse T
C
= 25
℃
Curves must be derated
linearly with increase
in temperature
I
C
MAX. (Continuous)
I
C
MAX. (Pulsed)
DC Operation
1
100us
50us
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
1
10
100
1000
1
10
100
Safe Operating Area
V
GE
= 20V, T
C
= 100
℃
C
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
5
10
15
20
25
30
100
1000
Eoff
Eon
Eoff
Common Emitter
V
GE
=
±
15V, R
G
= 13
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
S
Collector Current, I
C
[A]
0
10
20
30
40
50
0
3
6
9
12
15
200 V
V
CC
= 100 V
300 V
Common Emitter
R
L
= 20
T
C
= 25
℃
G
G
Gate Charge, Q
g
[ nC ]
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
1E-3
0.01
0.1
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
single pulse
T
℃
/
Rectangular Pulse Duration [sec]
Pdm
t1
t2
Duty factor D = t1 / t2
×
Zthjc + T
C
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PDF描述
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