參數(shù)資料
型號(hào)： SGH15N120RUF
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Short Circuit Rated IGBT
中文描述： 24 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 495K
代理商： SGH15N120RUF
SGH15N120RUF Rev. B2
S
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Fig 3. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Fig 4. Load Current vs. Frequency
Fig 5. Saturation Voltage vs. V
GE
Fig 6. Saturation Voltage vs. V
GE
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
Common Emitter
T
C
= 25
℃
20V
17V
15V
12V
V
GE
= 10V
C
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
25
50
75
100
125
150
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
3.0
3.2
Common Emitter
V
GE
= 15V
I
C
= 15A
24A
C
C
Case Temperature, T
C
[
℃
]
0
2
4
6
8
10
0
15
30
45
60
75
Common Emitter
V
GE
= 15V
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
C
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 25
℃
30A
15A
I
C
= 8A
C
C
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 125
℃
30A
15A
I
C
= 8A
C
C
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
0.1
1
10
100
1000
0
10
20
30
Duty cycle : 50%
T
= 100
℃
Power Dissipation = 35W
V
CC
= 600V
Load Current : peak of square wave
L
Frequency [KHz]
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PDF描述
SGH15N120RUFD Short Circuit Rated IGBT
SGH20N120RUF Short Circuit Rated IGBT
SGH20N120RUFD CAP CERM 1UF 4V X7R 0508 20%
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