參數(shù)資料
型號： SGF80N60UF
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： CONNECTOR ACCESSORY
中文描述： 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： TO-3PF, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大?。?/td> 567K
代理商： SGF80N60UF
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
SGF80N60UF Rev. A
S
Electrical Characteristics of IGBT
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Off Characteristics
BV
CES
Collector-Emitter Breakdown Voltage
B
VCES
/
T
J
Voltage
I
CES
Collector Cut-Off Current
I
GES
G-E Leakage Current
V
GE
= 0V, I
C
= 250uA
600
--
--
V
Temperature Coeff. of Breakdown
V
GE
= 0V, I
C
= 1mA
--
0.6
--
V/
°
C
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
--
--
--
--
250
± 100
uA
nA
On Characteristics
V
GE(th)
G-E Threshold Voltage
Collector to Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 40mA, V
CE
= V
GE
I
C
= 40A
,
V
GE
= 15V
I
C
= 80A
,
V
GE
= 15V
3.5
--
--
4.5
2.1
2.6
6.5
2.6
--
V
V
V
V
CE(sat)
Dynamic Characteristics
C
ies
Input Capacitance
C
oes
Output Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
V
CE
= 30V
,
V
GE
= 0V,
f = 1MHz
--
--
--
2790
350
100
--
--
--
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
E
on
Turn-On Switching Loss
E
off
Turn-Off Switching Loss
E
ts
Total Switching Loss
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
E
on
Turn
-
On Switching Loss
E
off
Turn
-
Off Switching Loss
E
ts
Total Switching Loss
Q
g
Total Gate Charge
Q
ge
Gate-Emitter Charge
Q
gc
Gate-Collector Charge
L
e
Internal Emitter Inductance
V
CC
= 300 V, I
C
= 40A,
R
G
= 5
, V
GE
= 15V,
Inductive Load, T
C
= 25
°
C
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
23
50
90
50
570
590
1160
30
55
150
160
630
940
1580
175
25
60
14
--
--
ns
ns
ns
ns
uJ
uJ
uJ
ns
ns
ns
ns
uJ
uJ
uJ
nC
nC
nC
nH
130
150
--
--
1500
--
--
200
250
--
--
2000
250
40
90
--
V
CC
= 300 V, I
C
= 40A,
R
G
= 5
, V
GE
= 15V
,
Inductive Load, T
C
= 125
°
C
V
CE
= 300 V, I
C
= 40A,
V
GE
= 15V
Measured 5mm from PKG
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGH10N120RUF Short Circuit Rated IGBT
SGH10N120RUFD Short Circuit Rated IGBT
SGH10N60RUFD Short Circuit Rated IGBT(短路電流額定的絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
SGH13N60UFD 240 x 320 pixel format (Portrait Mode), CFL Backlight available with power harness
SGH15N60RUFD Short Circuit Rated IGBT(短路電流額定的絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SGF80N60UFTU 功能描述:IGBT 晶體管 Discrete Hi-P IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGF9 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:For C to X-band Local Oscillator and Amplifier
SGFEB1024-120-NA 制造商:TRANSITION NETWORKS 功能描述:Transition Stand-Alone - Media converter - 10Base-T, 1000Base-LX, 100Base-TX, 10
SGFHCB-36M0000000 功能描述:VCXO振蕩器 36MHz 100ppm 0C +70C RoHS:否 制造商:Fox 封裝 / 箱體:5 mm x 3.2 mm 頻率:19.2 Mhz 頻率穩(wěn)定性:2.5 PPM 輸出格式: 封裝:Reel 電源電壓:3 V 端接類型:SMD/SMT 尺寸:3.2 mm W x 5 mm L x 1.5 mm H 最小工作溫度:- 20 C 最大工作溫度:+ 75 C
SGFHEA-24.000MHZ 制造商:VTI Technologies 功能描述:CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 24 MHZ, CMOS/TTL OUTPUT
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