參數(shù)資料
型號(hào)： SGF40N60UFD
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： CO-PAK IGBT(CO-PAK絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
中文描述： 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： TO-3PF, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大小： 357K
代理商： SGF40N60UFD
Fig.1 Typical Load Current vs. Frequency
Fig.2 Typical Output Characteristics
Fig.3 Maximum Collector Current vs.
Case Temperature
Fig.4 Collector to Emitter Voltage vs.
Case Temperature
20
40
60
80
Tc [
&
]
100
120
140
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
3.0
3.2
Ic = 30A
Ic = 48A
V
0
2
4
6
8
10
0
50
100
150
200
Tc = 100
&
Tc = 25
&
I
Vce [V]
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
25
50
75
100
125
150
Vge = 15V
Tc [
&
]
M
0
8
16
24
32
0.1
1
10
100
1000
Duty cycle : 50%
Tc = 100
&
Power Dissipation = 32W
Vcc = 300V
Load Current : peak of square wave
Frequency [kHz]
L
SGF40N60UFD
CO-PAK IGBT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGF40N60 High Speed Switching
SGF80N60UFD CO-PAK IGBT(CO-PAK絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
SGF80N60UF CONNECTOR ACCESSORY
SGH10N120RUF Short Circuit Rated IGBT
SGH10N120RUFD Short Circuit Rated IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SGF40N60UFTU 功能描述:IGBT 晶體管 Dis High Perf IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGF-51T-5 制造商:JST Manufacturing 功能描述:Bullet Terminal 14-20AWG F 17.5mm Tin Reel
SGF5N150UF 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:General Description
SGF5N150UFTU 功能描述:IGBT 晶體管 1500V / 5A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGF80N60UF 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT
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