參數(shù)資料
型號： SGD02N120
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Fast S-IGBT in NPT-technology
中文描述： 快速的S -不擴(kuò)散核武器條約IGBT的技術(shù)
文件頁數(shù)： 5/13頁
文件大小： 389K
代理商： SGD02N120
Preliminary
SGP02N120
SGB02N120, SGD02N120
Power Semiconductors
5
Mar-00
I
C
,
C
0V
1V
2V
3V
4V
5V
6V
7V
0A
1A
2A
3A
4A
5A
6A
7A
15V
13V
11V
9V
7V
V
GE
=17V
I
C
,
C
0V
1V
2V
3V
4V
5V
6V
7V
0A
1A
2A
3A
4A
5A
6A
7A
15V
13V
11V
9V
7V
V
GE
=17V
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 5. Typical output characteristics
(
T
j
= 25
°
C)
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 6. Typical output characteristics
(
T
j
= 150
°
C)
I
C
,
C
3V
5V
7V
9V
11V
0A
1A
2A
3A
4A
5A
6A
7A
T
j
=-40°C
T
j
=+150°C
T
j
=+25°C
V
C
,
C
-
E
-50°C
0°C
50°C
100°C
150°C
0V
1V
2V
3V
4V
5V
6V
I
C
=4A
I
C
=2A
I
C
=1A
V
GE
,
GATE
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 7. Typical transfer characteristics
(
V
CE
= 20V)
T
j
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 8. Typical collector-emitter
saturation voltage as a function of junction
temperature
(
V
GE
= 15V)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGD02N60 FAST IGBT IN NPT TECHNOLOGY
SGB02N120 Fast S-IGBT in NPT-technology
SGB02N60 FAST IGBT IN NPT TECHNOLOGY
SGP02N60 FAST IGBT IN NPT TECHNOLOGY
SGP20N60HS High Speed IGBT in NPT-technology
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SGD02N120BUMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 6.2A 3-Pin(2+Tab) TO-252 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT NPT 1200V 6.2A 62W TO252-3
SGD02N60 功能描述:IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 2A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGD02N60BUMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-252 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT NPT 600V 6.0A 30W TO252-3
SGD02N60XT 制造商:Infineon Technologies 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-252
SGD04N60 功能描述:IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 4A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*