參數(shù)資料
型號(hào)： SFW12955
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： Advanced Power MOSFET
中文描述： 先進(jìn)的功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 248K
代理商： SFW12955
P-CHANNEL
POWER MOSFET
Fig 1. Output Characteristics
Fig 2. Transfer Characteristics
Fig 6. Gate Charge vs. Gate-Source Voltage
Fig 5. Capacitance vs. Drain-Source Voltage
Fig 4. Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig 3. On-Resistance vs. Drain Current
SFW/I2955
2
4
6
8
10
-1
10
0
10
1
25
oC
175
oC
- 55
oC
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. V
DS
= -30 V
3. 250
s Pulse Test
-I
D
,
Drain
Current
[A]
-V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0
10
20
30
40
50
60
70
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
@ Note : T
J
= 25
oC
V
GS
= -20 V
V
GS
= -10 V
R
DS(on)
,
[
]
Drain-Source
On-Resistance
-I
D
, Drain Current [A]
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
10
-1
10
0
10
1
175
o
C
25
o
C
@ Notes :
1. V
GS = 0 V
2. 250
s Pulse Test
-I
DR
,
Reverse
Drain
Current
[A]
-V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
10
0
10
1
0
200
400
600
800
C
iss= Cgs+ Cgd ( Cds= shorted )
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss= Cgd
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
Capacitance
[pF]
-V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
10
1
@ Notes :
1. 250
s Pulse Test
2. T
C
= 25
oC
V
GS
Top :
- 15 V
- 10V
- 8.0 V
- 7.0 V
- 6.0 V
- 5.5 V
- 5.0 V
Bottom : - 4.5 V
-I
D
,
Drain
Current
[A]
-V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
5
10
V
DS
= -48 V
V
DS
= -30 V
V
DS = -12 V
@ Notes : I
D =-9.4 A
-V
GS
,
Gate-Source
Voltage
[V]
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
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