參數(shù)資料
型號： SFS9Z34
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Advanced Power MOSFET
中文描述： 12 A, 60 V, 0.14 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大小： 284K
代理商： SFS9Z34
SFS9Z34
0
10
20
-I
D
, Drain Current [A]
30
40
50
60
70
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
@ Note : T
J
= 25
o
C
V
GS
= -20 V
V
GS
= -10 V
R
D
]
D
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
@ Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
o
C
V
GS
Top : - 15 V
- 10 V
- 8.0 V
- 7.0 V
- 6.0 V
- 5.5 V
- 5.0 V
Bottom : - 4.5 V
-
D
-V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
25
o
C
175
o
C
- 55
o
C
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. V
DS
= -30 V
3. 250
μ
s Pulse Test
-
D
-V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0.5
1.0
-V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
10
-1
10
0
10
1
175
o
C
25
o
C
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. 250
μ
s Pulse Test
-
D
10
0
10
1
0
300
600
900
1200
1500
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(
C
ds
= shorted
)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
-V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
5
10
15
20
25
30
35
0
5
10
V
DS
= -48 V
V
= -30 V
V
= -12 V
@ Notes : I
D
=-18 A
-
G
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
P-CHANNEL
POWER MOSFET
Fig 1. Output Characteristics
Fig 2. Transfer Characteristics
Fig 6. Gate Charge vs. Gate-Source Voltage
Fig 5. Capacitance vs. Drain-Source Voltage
Fig 4. Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig 3. On-Resistance vs. Drain Current
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PDF描述
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