參數(shù)資料
型號： SFS9Z24
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Advanced Power MOSFET
中文描述： 7.5 A, 60 V, 0.28 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大?。?/td> 280K
代理商： SFS9Z24
SFS9Z24
-60
--
-2.0
--
--
--
--
--
-0.04
--
--
--
--
--
140
40
11
21
29
20
15
2.9
6.0
--
--
-4.0
-100
100
-10
-100
0.28
--
600
215
60
30
50
65
50
19
--
--
3.6
465
--
--
--
80
0.22
-7.5
-30
-3.8
--
--
Notes ;
Repetitive Rating : Pulse Width Limited by Maximum Junction Temperature
L=3.0mH, I
AS
=-7.5A, V
DD
=-25V, R
G
=27
*
, Starting T
J
=25
o
C
I
SD
-9.7A, di/dt
2
5
0A/
μ
s, V
DD
BV
DSS
, Starting T
J
=25
o
C
Pulse Test : Pulse Width = 250
μ
s, Duty Cycle 2%
Essentially Independent of Operating Temperature
O
5
_
O
1
O
O
O
2
3
4
_
_
P-CHANNEL
POWER MOSFET
Electrical Characteristics
(T
C
=25
o
C unless otherwise specified)
Drain-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temp. Coeff.
Gate Threshold Voltage
Gate-Source Leakage , Forward
Gate-Source Leakage , Reverse
Characteristic
Symbol
BV
DSS
BV/
T
J
V
GS(th)
Max. Units
Typ.
Min.
Test Condition
Static Drain-Source
On-State Resistance
Forward Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain(“Miller”) Charge
g
fs
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
DS(on)
I
GSS
I
DSS
V
V/
o
C
V
nA
μ
A
pF
ns
nC
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
V
GS
=0V,I
D
=-250
μ
A
I
D
=-250
μ
A
See Fig 7
V
DS
=-5V,I
D
=-250
μ
A
V
GS
=-20V
V
GS
=20V
V
DS
=-60V
V
DS
=-48V,T
C
=150
o
C
V
GS
=-10V,I
D
=-3.8A
V
DS
=-30V,I
D
=-3.8A
V
DD
=-30V,I
D
=-9.7A,
R
G
=18
See Fig 13
V
DS
=-48V,V
GS
=-10V,
I
D
=-9.7A
See Fig 6 & Fig 12
Drain-to-Source Leakage Current
V
GS
=0V,V
DS
=-25V,f =1MHz
See Fig 5
Source-Drain Diode Ratings and Characteristics
Continuous Source Current
Pulsed-Source Current
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
Characteristic
Symbol
Max. Units
Typ.
Min.
Test Condition
--
--
--
--
--
A
V
ns
μ
C
Integral reverse pn-diode
in the MOSFET
T
J
=25
o
C,I
S
=-7.5A,V
GS
=0V
T
J
=25
o
C,I
F
=-9.7A
di
F
/dt=100A/
μ
s
O
4
O
5
O
4
O
4
O
5
O
4
O
4
O
4
O
1
S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SFS9Z34 Advanced Power MOSFET
SFT10000-3 20 AMP 350 VOLTS NPN DARLINGTON TRANSISTOR
SFT1001 100AMP HIGH SPEED PNP TRANSISTOR 250 VOLTS
SFT1016 100 amp HIGH ENERGY NPN TRANSISTORS 350 VOLTS
SFT1018 100 amp HIGH ENERGY NPN TRANSISTORS 350 VOLTS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SFS9Z34 功能描述:MOSFET P-CH/60V/12A/0.14OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SFSA008GM1AA1TO-I-DB-216-STD 功能描述:SSD 8GB M.2 SLC SATA III 3.3V 制造商:swissbit 系列:X-600M2 零件狀態(tài):在售 存儲容量:8GB 存儲器類型:FLASH - NAND（SLC） 外形尺寸:M.2 模塊 速度 - 讀取:245MB/s 速度 - 寫入:65MB/s 電壓 - 電源:3.3V 類型:SATA III 電流 - 最大值:255mA 工作溫度:-40°C ~ 85°C 重量:- 大小/尺寸:42.00mm x 22.00mm x 3.30mm 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
SFSA008GQ1AA1TO-I-DB-216-STD 功能描述:SSD 8GB 2.5" SLC 制造商:swissbit 系列:X-600 零件狀態(tài):在售 存儲容量:8GB 存儲器類型:FLASH - NAND（SLC） 外形尺寸:2.5" 速度 - 讀取:- 速度 - 寫入:- 電壓 - 電源:- 類型:- 電流 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 重量:- 大小/尺寸:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
SFSA008GU1AA1TO-I-DB-216-STD 功能描述:SSD 8GB MSATA SLC SATA III 3.3V 制造商:swissbit 系列:X-600M 零件狀態(tài):在售 存儲容量:8GB 存儲器類型:FLASH - NAND（SLC） 外形尺寸:mSATA 速度 - 讀取:245MB/s 速度 - 寫入:65MB/s 電壓 - 電源:3.3V 類型:SATA III 電流 - 最大值:260mA 工作溫度:-40°C ~ 85°C 重量:- 大小/尺寸:50.80mm x 29.85mm x 3.50mm 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
SFSA008GU2AA1TO-I-GS-216-STD 功能描述:SSD 8GB MSATA MLC SATA III 3.3V 制造商:swissbit 系列:X-60M 零件狀態(tài):在售 存儲容量:8GB 存儲器類型:FLASH - NAND（MLC） 外形尺寸:mSATA 速度 - 讀取:145MB/s 速度 - 寫入:25MB/s 電壓 - 電源:3.3V 類型:SATA III 電流 - 最大值:210 mA 工作溫度:-40°C ~ 85°C 重量:- 大小/尺寸:50.80mm x 29.85mm x 3.50mm 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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