參數(shù)資料
型號： SFP9610
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： P-Channel Power MOSFET(漏源電壓為-200V的P溝道功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： 1.75 A, 200 V, 3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大?。?/td> 246K
代理商： SFP9610
P-C HANNEL
POWER MOSFET
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
--
L
I
S
Driver
V
GS
R
G
Compliment of DUT
(N-Channel)
V
GS
dv/dt controlled by “R
G
”
I
S
controlled by Duty Factor “D”
V
DD
10V
V
GS
( Driver )
I
S
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V
f
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
SFP9610
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SFP9620 P-Channel Power MOSFET(漏源電壓為-200V的P溝道功率MOS場效應(yīng)管)
SFP9640L Advanced Power MOSFET
SFRC9130S.5B 10 AMP /100 Volts 300 mヘ Radiation Tolerant P-Channel MOSFET
SFS2004-59 10 AMP 800 VOLTS HIGH VOLTAGE THYRISTOR
SFS2329 1.6 AMPS 200 - 400 VOLTS SILICON CONTROLLED RECTIFIER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SFP9614 功能描述:MOSFET P-CH/250V/1.6A/4OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SFP9620 功能描述:MOSFET PCh/200V/3.5a/1.5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SFP9624 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET (-250V, 2.4ohm, -2.7A)
SFP9630 功能描述:MOSFET PCh/200V/6.5a/0.8Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SFP9630_Q 功能描述:MOSFET PCh/200V/6.5a/0.8Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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