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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SFP50N06 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | N溝道MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 895K |
| 代理商： | SFP50N06 |
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0
10
20
30
40
50
60
70
Note T
※
J
= 25
o
C
V
GS
=20V
V
GS
=10V
R
D
,
D
I
D
, Drain Current[ A ]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
10
0
10
1
10
2
175
o
C
Notes :
1. V
= 0V
2. 250μs Pulse Test
※
25
o
C
I
D
,
V
SD
, Source-Drain voltage[V]
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 30V
V
DS
= 48V
Note : I
※
D
= 50A
V
G
,
Q
g
, Total Gate Charge [nC]
5
10
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
15
20
25
30
35
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
C
rss
C
oss
C
iss
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. f=1MHz
※
C
iss
=C
gs
+C
gd
(C
ds
=shorted)
C
oss
=C
ds
+C
gd
C
rss
=C
gd
C
2
4
6
8
10
10
0
10
1
10
2
175
o
C
25
o
C
-55
o
C
Notes :
1. V
DS
= 30V
2. 250μs Pulse Test
※
I
D
,
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
10
2
V
GS
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
Notes :
1. 250μs Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
※
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage[V]
3/7
Fig 3. On Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Fig 4. On State Current vs.
Allowable Case Temperature
Fig 5. Capacitance Characteristics
Fig 6. Gate Charge Characteristics
S FP50N06
Fig 1. On-State Characteristics
Fig 2. Transfer Characteristics
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SFP70N06 | N-Channel MOSFET |
| SFP95N03L | Logic N-Channel MOSFET |
| SFPA-53 | Schottky Barrier Diodes |
| SFPA-63 | Schottky Barrier Diodes |
| SFPA-73 | Schottky Barrier Diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SFP50N06R | 制造商:WINSEMI 制造商全稱:WINSEMI 功能描述:Silicon N-Channel MOSFET |
| SFP5MRHDSDI-RX | 制造商:MRV 制造商全稱:MRV 功能描述:Digital Video SFPs |
| SFP5MRHDSDI-TX | 制造商:MRV 制造商全稱:MRV 功能描述:Digital Video SFPs |
| SFP5N50 | 制造商:WINSEMI 制造商全稱:WINSEMI 功能描述:Silicon N-Channel MOSFET |
| SFP5N60 | 制造商:WINSEMI 制造商全稱:WINSEMI 功能描述:Silicon N-Channel MOSFET |
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