參數(shù)資料
型號(hào)： SFI9Z14
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Advanced Power MOSFET
中文描述： 6.7 A, 60 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
封裝： I2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大?。?/td> 278K
代理商： SFI9Z14
SFW/I9Z14
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
@ Notes :
1. V
GS
= -10 V
2. I
D
= -3.4 A
R
D
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
10
0
10
1
10
2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10 ms
DC
1 ms
0.1 ms
@ Notes :
1. T
C
= 25
o
C
2. T
J
= 175
o
C
3. Single Pulse
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
-
D
-V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= -250
μ
A
-
D
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
25
50
75
100
125
150
175
0
2
4
6
8
-
D
T
c
, Case Temperature [
o
C]
10
-5
10
-4
t
1
, Square Wave Pulse Duration [sec]
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
single pulse
0.2
0.1
0.01
0.02
0.05
D=0.5
@ Notes :
1. Z
θ
JC
(t)=3.95
o
C/W Max.
2. Duty Factor, D=t
1
/t
2
3. T
JM
-T
C
=P
DM
*Z
θ
JC
(t)
P
DM
.
Z
θ
J
(
P-CHANNEL
POWER MOSFET
Fig 7. Breakdown Voltage vs. Temperature
Fig 8. On-Resistance vs. Temperature
Fig 11. Thermal Response
Fig 10. Max. Drain Current vs. Case Temperature
Fig 9. Max. Safe Operating Area
t
1.
t
2.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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