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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SFH487 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | 紅外LED |
| 英文描述： | GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880nm GaAIAs Infrared Emitter 880 nm |
| 中文描述： | 3 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 42K |
| 代理商： | SFH487 |
Semiconductor Group
1
1997-11-01
Wesentliche Merkmale
G
Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
G
Hohe Zuverlssigkeit
G
Hohe Impulsbelastbarkeit
G
Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfnger
G
Gehusegleich mit SFH 309, SFH 409
Anwendungen
G
IR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunk-
und Videogerten, Lichtdimmern
G
Lichtschranken bis 500 kHz
Features
G
Fabricated in a liquid phase epitaxy process
G
High reliability
G
High pulse handling capability
G
Good spectral match to silicon
photodetectors
G
Same package as SFH 309, SFH 409
Applications
G
IR remote control for hifi and TV sets, video
tape recorder, dimmers
G
Light-reflection switches (max. 500 kHz)
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880nm)
GaAIAs Infrared Emitter (880 nm)
SFH 487
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehuse
Package
SFH 487
Q62703-Q1095
3-mm-LED-Gehuse (T1), klares violettes Epoxy-
Gie
β
harz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
’’),
Anodenkennzeichnung: kürzerer Anschlu
β
3 mm LED package (T1), violet-colored transparent
epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm (
1
/
10
’’),
anode marking: short lead
SFH 487-2
Q62703-Q2174
Ma
β
e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
f
1.8
1.2
29
27
(SFH 409)
6.3
5.9
(3.5)
Chip position
4.1
3.9
5.2
4.5
2
s
0
0
0.6
0.4
4.0
3.6
0.6
0.4
Approx. weight 0.3 g
Area not flat
GEX06250
0
0
Cathode
Anode
(SFH 487)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SFH487P-2 | GaAlAs INFRARED EMITTER |
| SFH487P | GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter 880 nm |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| SFH487-2R23A | 制造商:OSRAM 功能描述: |
| SFH487-2RN23A | 制造商:OSRAM 功能描述: |
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