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參數(shù)資料
| 型號： | SFH481-1 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | 紅外LED |
| 英文描述： | GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters 880 nm |
| 中文描述： | 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm |
| 封裝： | 2.54MM LEAD SPACING, TO-18, 2 |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 66K |
| 代理商： | SFH481-1 |
SFH 480,
SFH 481, SFH 482
Semiconductor Group
5
1998-04-16
Gruppierung der Strahlstrke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
= 0.01 sr
Grouping of radiant intensity
I
e
in axial direction
at a solid angle of
= 0.01 sr
1)
Die Messung der Strahlstrke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil
(Durchmesser der Lochblende: 2.0 mm; Abstand Lochblende zu Gehuserückseite: 5.4 mm). Dadurch wird
sichergestellt, da
β
bei der Strahlstrkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die
direkt von der Chipoberflche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung)
wird dagegen nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberflche über
Zusatzoptiken strend (z.B. Lichtschranken gro
β
er Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen
diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende
Me
β
verfahren ergibt sich für den Anwender eine besser verwertbare Gr
β
e. Diese Lochblendenmessung ist
gekennzeichnet durch den Eintrag “E 7800”, der an die Typenbezeichnung angehngt ist.
1)
An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle
(diameter of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4 mm). This ensures that solely the
radiation in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the
radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These
reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection
switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally suppressed by
apertures as well. This measuring procedure corresponding with the application provides more useful values.
This aperture measurement is denoted by “E 7800” added to the type designation.
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH
480-2
SFH
480-3
SFH
481
SFH
481-1
SFH
481-2
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
e min
I
e max
40
–
63
–
10
–
10
20
16
–
mW/sr
mW/sr
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
μ
s
I
e typ.
540
630
220
130
220
mW/sr
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH
482
SFH
482-1
SFH
482-2
SFH
482-3
SFH
482-M
E 7800
1)
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
e min
I
e max
3.15
–
3.15
6.3
5
10
8
–
1.6 ... 3.2
–
mW/sr
mW/sr
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
μ
s
I
e typ.
–
40
65
80
–
mW/sr
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SFH481-2 | GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters 880 nm |
| SFH482 | GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters 880 nm |
| SFH482-1 | GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters 880 nm |
| SFH482-2 | GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters 880 nm |
| SFH482-3 | GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters 880 nm |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SFH481-1/2 | 制造商:OSRAM 制造商全稱:OSRAM 功能描述:GaAlAs-Lumineszenzdioden |
| SFH481-2 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters 880 nm |
| SFH481-2/3 | 制造商:OSRAM 制造商全稱:OSRAM 功能描述:GaAlAs-Lumineszenzdioden |
| SFH4813 | 制造商:OSRAM 功能描述:IR Emitter, 950 nm, TO-46,SFH4813 |
| SFH482 | 制造商:OSRAM 功能描述:IR Emitter,TO18,880nm,SFH 482 |
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