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參數(shù)資料
| 型號： | SFH409 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | 紅外LED |
| 英文描述： | GaAs Infrared Emitter |
| 中文描述： | 3 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 950 nm |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 34K |
| 代理商： | SFH409 |
Semiconductor Group
1
1997-11-01
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
SFH 409
1)
Nur auf Anfrage lieferbar.
1)
Available only on request.
Typ
Type
SFH 409
SFH 409-1
1)
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P860
Gehuse
Package
3-mm-LED-Gehuse (T 1), grau eingefrbt, An-
schlüsse im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
’’),
Kathodenkennzeichnung: kürzerer Anschlu
3 mm LED package (T 1), grey-colored epoxy resin,
solder tabs lead spacing 2.54 mm (
1
/
10
’’),
cathode marking: short lead
Q62702-P1001
SFH 409-2
Q62702-P1002
Wesentliche Merkmale
G
GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
G
Hohe Zuverlssigkeit
G
Hohe Impulsbelastbarkeit
G
Gruppiert lieferbar
G
Gehusegleich mit SFH 309, SFH 487
Anwendungen
G
Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
G
IR Fernsteuerungen
Features
G
GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
G
High reliability
G
High pulse handling capability
G
Available in groups
G
Same package as SFH 309, SFH 487
Applications
G
Photointerrupters
G
IR remote control of various equipment
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
1.8
1.2
29
27
(SFH 409)
6.3
5.9
(3.5)
Chip position
4.1
3.9
5.2
4.5
2
s
0
0
0.6
0.4
4.0
3.6
0.6
0.4
Approx. weight 0.3 g
Area not flat
GEX06250
0
0
Cathode
Anode
(SFH 487)
f
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PDF描述 |
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