參數(shù)資料
型號： SFH214
廠商： SIEMENS A G
元件分類： 光敏二極管
英文描述： Neu: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit New: Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time
中文描述： PIN PHOTO DIODE
封裝： 5MM, PLASTIC
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 204K
代理商： SFH214
SFH 214
SFH 214 FA
Semiconductor Group
3
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom,
V
R
= 20 V
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit,
λ
= 850 nm
Spectral sensitivity
Quantenausbeute,
λ
= 850 nm
Quantum yield
±
40
±
40
Grad
deg.
I
R
1 (
≤
5)
1 (
≤
5)
nA
S
λ
0.62
0.59
A/W
η
0.89
0.86
Electrons
Photon
Leerlaufspannung
Open-circuit voltage
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T
= 2856 K
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
λ
= 870 nm
Kurzschlustrom
Short-circuit current
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T
= 2856 K
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
λ
= 870 nm
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
L
= 50
;
V
R
= 20 V;
λ
= 850 nm;
I
p
= 800
μ
A
Durchlaspannung,
I
F
= 80 mA,
E
= 0
Forward voltage
Kapazitt,
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
Temperaturkoeffizient von
V
O
Temperature coefficient of
V
O
Temperaturkoeffizient von
I
SC
Temperature coefficient of
I
SC
Normlicht/standard light A
λ
= 870 nm
Rauschquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
R
= 10 V,
λ
= 850 nm
Nachweisgrenze,
V
R
= 20 V,
λ
= 850 nm
Detection limit
V
O
V
O
380 (
≥
300)
–
–
340 (
≥
290)
mV
mV
I
SC
I
SC
t
r
,
t
f
42
–
–
12
μ
A
μ
A
ns
5
5
V
F
1.3
1.3
V
C
0
11
11
pF
TC
V
– 2.6
– 2.6
mV/K
TC
I
0.18
–
2.9
×
10
– 14
–
0.2
2.9
×
10
– 14
%/K
NEP
W
√
Hz
D*
3.5
×
10
12
3.5
×
10
12
cm ·
√
Hz
W
Kennwerte
(T
A
= 25
°
C)
Characteristics
(cont’d)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 214
SFH 214 FA
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PDF描述
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