參數(shù)資料
型號： SFH154
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Advanced Power MOSFET
中文描述： 34 A, 150 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 228K
代理商： SFH154
SFH154
150
--
2.0
--
--
--
--
--
0.11
--
--
--
--
--
380
135
20
25
70
30
90
20
35
--
--
4.0
100
-100
10
100
0.075
--
3370
450
200
50
60
145
70
110
--
--
20
2590
--
--
--
203
1.52
34
136
1.5
--
--
Notes ;
①
Repetitive Rating : Pulse Width Limited by Maximum Junction Temperature
②
L=1.0mH, I
AS
=34A, V
DD
=50V, R
G
=27
, Starting T
J
=25
℃
③
I
SD
≤
34A, di/dt
≤
400A/
μ
s, V
DD
≤
BV
DSS
, Starting T
J
=25
℃
④
Pulse Test : Pulse Width = 250
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
⑤
Essentially Independent of Operating Temperature
2
N-CHANNEL
POWER MOSFET
Electrical Characteristics
(T
C
=25
℃
unless otherwise specified)
Drain-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temp. Coeff.
Gate Threshold Voltage
Gate-Source Leakage , Forward
Gate-Source Leakage , Reverse
Characteristic
Symbol
BV
DSS
Δ
BV/
Δ
T
J
V
GS(th)
Max. Units
Typ.
Min.
Test Condition
Static Drain-Source
On-State Resistance
Forward Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain(
＂
Miller
＂
) Charge
g
fs
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
DS(on)
I
GSS
I
DSS
V
V/
℃
V
nA
μ
A
pF
ns
nC
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
V
GS
=0V,I
D
=250
μ
A
I
D
=250
μ
A
See Fig 7
V
DS
=5V,I
D
=250
μ
A
V
GS
=20V
V
GS
=-20V
V
DS
=150V
V
DS
=120V,T
C
=125
℃
V
GS
=10V,I
D
=17A
④
V
DS
=40V,I
D
=17A
④
V
DD
=75V,I
D
=34A,
R
G
=6.2
See Fig 13
④ ⑤
V
DS
=120V,V
GS
=10V,
I
D
=34A
See Fig 6 & Fig 12
④ ⑤
Drain-to-Source Leakage Current
V
GS
=0V,V
DS
=25V,f =1MHz
See Fig 5
Source-Drain Diode Ratings and Characteristics
Continuous Source Current
Pulsed-Source Current
①
Diode Forward Voltage
④
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
Characteristic
Symbol
Max. Units
Typ.
Min.
Test Condition
--
--
--
--
--
A
V
ns
μ
C
Integral reverse pn-diode
in the MOSFET
T
J
=25
℃
,I
S
=34A,V
GS
=0V
T
J
=25
℃
,I
F
=34A
di
F
/dt=100A/
μ
s
④
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SFL024-5 10 AMP 60 Volts 0.10 ohm N-Channel LOGIC LEVEL Power MOSFET
SFL044J 30 AMP / 60 Volts / 0.030 ヘ N-Channel, Logic Level POWER MOSFET
SFL3200-39 Logic Level 12A 150V .17ヘ N-Channel Power MOSFET
SFME120-461 EMI INPUT FILTER 120 VOLT INPUT
SFP161 CURRENT 16.0 AMPERES VOLTAGE 50 TO 600 VOLTS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SFH1617A 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Optocoupler, Phototransistor Output, High Reliability, 5300 VRMS, 110 °C Rated
SFH1617A-1 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 40-80% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
SFH1617A-1X001 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 40-80% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
SFH1617A-1X006 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 40-80% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
SFH1617A-1X007T 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 40-80% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
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