參數(shù)資料
型號： SFAF804G
元件分類： 整流器
英文描述： 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
封裝： PLASTIC, ITO-220AC, 2 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 265K
代理商： SFAF804G
Voltage
200 to 600 V
Current
8 A
Jul - 07
4.0 °C/W
1.3 V
– 65 to + 150 °C
8 A
125 A
– 65 to + 150 °C
200
600
140
420
200
600
60 pF
10 A
400 A
Glass Passivated Junction
High current capability
The plastic material carries
U/L recognition 94 V-0
Terminals: Leads solderable per
MIL-STD202
Low forward Voltage drop
SFAF804G
SFAF808G
SFAF8G
Absolute Maximum Ratings, according to IEC publication No. 134
Electrical Characteristics
8 Amp. Glass Passivated Ultrafast Recovery Rectifier
SFAF806G
400
280
400
SFAF804G
SFAF808G
SFAF806G
35 ns
ITO-220AC
90 pF
0.975 V
1.7 V
1
2
VF
Max. forward voltage drop
at IF = 8 A
IR
Max. Instantaneous reverse
current at VR = VRRMax
Rthj-C
Typical Thermal Resistance
Tj = 100 C
Tj = 25 C
Tj = 25 °C
Peak recurrent reverse voltage (V)
Maximum RMS voltage (V)
Maximum DC blocking voltage (V)
Maximum average Forward current.
at TC = 100 °C
VRRM
VRMS
VDC
IF (AV)
Tj
Tstg
Operating temperature range
Storage temperature range
IFSM
8.3 ms. peak forward surge current
(Jedec Method)
Cj
Typical Junction Capacitance at 1 MHz
and reverse voltaje of 4VDC
Max. reverse recovery time from
IF = 0.5 A ; IR = 1 A ; IRR = 0.25 A
TRR
1
Case Positive
2
Case
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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SFC3.3-4.BCT 150 W, UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, MO-211BB
SFC3.3-4.TK 150 W, UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, MO-211BB
SFF2008G 20 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
SFPB-62 2 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SFAF806G C0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Switching 400V 8A 2-Pin(2+Tab) ITO-220AC Tube
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