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參數(shù)資料
| 型號： | SEMIX353GD126HDC |
| 廠商： | SEMIKRON INTERNATIONAL |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Trench IGBT Modules |
| 中文描述： | 364 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | CASE SEMIX 33C, 29 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大小： | 964K |
| 代理商： | SEMIX353GD126HDC |
Fig. 13 Typ. CAL diode recovered charge
2S //
4L
2S //
This is an electrostatic discharge sensitive device (ESDS), international standard IEC 60747-1, Chapter IX.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. No warranty or guarantee
expressed or implied is made regarding delivery, performance or suitability.
SEMiX 353GD126HDc
4
15-06-2005 SEN
by SEMIKRON
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| SEMIX453GD176HDC | Trench IGBT Modules |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SEMIX353GD126HDC_06 | 制造商:SEMIKRON 制造商全稱:Semikron International 功能描述:Trench IGBT Modules |
| SEMIX353GD126HDC_07 | 制造商:SEMIKRON 制造商全稱:Semikron International 功能描述:Trench IGBT Modules |
| SEMIX353GD126HDC_09 | 制造商:SEMIKRON 制造商全稱:Semikron International 功能描述:Trench IGBT Modules |
| SEMIX353GD126HDC_10 | 制造商:SEMIKRON 制造商全稱:Semikron International 功能描述:Trench IGBT Modules |
| SEMiX353GD176HDc | 制造商:SEMIKRON 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
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