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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SEMIX253GB176HD |
| 廠商： | SEMIKRON INTERNATIONAL |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Trench IGBT Modules |
| 中文描述： | 250 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | CASE SEMIX 3, 11 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 1116K |
| 代理商： | SEMIX253GB176HD |
Fig. 13 Typ. CAL diode recovered charge
1S 2
3I
1S 2
This is an electrostatic discharge sensitive device (ESDS), international standard IEC 60747-1, Chapter IX.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. No warranty or guarantee
expressed or implied is made regarding delivery, performance or suitability.
SEMiX 253GB176HD
4
15-06-2005 SEN
by SEMIKRON
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| SEMIX253GB176HDS | 制造商:SEMIKRON 制造商全稱:Semikron International 功能描述:Trench IGBT Modules |
| SEMIX253GB176HDS_06 | 制造商:SEMIKRON 制造商全稱:Semikron International 功能描述:Trench IGBT Modules |
| SEMIX253GD126HDC | 制造商:SEMIKRON 制造商全稱:Semikron International 功能描述:Trench IGBT Modules |
| SEMIX253GD176HDC | 制造商:SEMIKRON 制造商全稱:Semikron International 功能描述:Trench IGBT Modules |
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