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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SEMIX252GB126HDS |
| 廠商： | SEMIKRON INTERNATIONAL |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Trench IGBT Modules |
| 中文描述： | 270 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | CASE SEMIX 2S, 15 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 1214K |
| 代理商： | SEMIX252GB126HDS |
Fig. 13 Typ. CAL diode recovered charge
3S '
5J
3S '
This is an electrostatic discharge sensitive device (ESDS), international standard IEC 60747-1, Chapter IX.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. No warranty or guarantee
expressed or implied is made regarding delivery, performance or suitability.
SEMiX 252GB126HD
4
15-06-2005 SEN
by SEMIKRON
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| SEMIX252GB176HD_07 | 制造商:SEMIKRON 制造商全稱:Semikron International 功能描述:Trench IGBT Modules |
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