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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SEMIX202GB128D |
| 廠(chǎng)商： | SEMIKRON INTERNATIONAL |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | SPT IGBT Modules |
| 中文描述： | 190 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | CASE SEMIX 2, 11 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1144K |
| 代理商： | SEMIX202GB128D |
Fig. 7 Typ. switching times vs. I
C
Fig. 8 Typ. switching times vs. gate resistor R
G
Fig. 9 Transient thermal impedance of IGBT
Fig. 10 Transient thermal impedance of FWD
Fig. 11 CAL diode forward charact., incl. R
CC′+EE
′
Fig. 12 Typ. CAL diode peak reverse recovery current
SEMiX 202GB128D
3
15-06-2005 SEN
by SEMIKRON
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| SEMIX202GB128DS_08 | 制造商:SEMIKRON 制造商全稱(chēng):Semikron International 功能描述:SPT IGBT Modules |
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