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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SDT08S60 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | Thinq SiC Schottky Diode |
| 中文描述： | Thinq碳化硅肖特基二極管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/8頁(yè) |
| 文件大小： | 207K |
| 代理商： | SDT08S60 |
2004-03-18
Rev. 2.0
Page 6
SDT08S60
9 Typ. capacitive charge vs. current slope
Q
c
=
f
(
d
i
F
/d
t
)
parameter:
T
j
= 150 °C
0
100 200 300 400 500 600 700 800
A/μs
1000
d
i
F
/d
t
0
5
10
15
20
25
nC
35
Q
c
I
F
*0.5
I
F
I
F
*2
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PDF描述 |
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