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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SDM4884 |
| 廠商： | SamHop Microelectronics Corp. |
| 英文描述： | N-Channel E nhancement Mode F ield E ffect Transistor |
| 中文描述： | N溝道位置nhancement F型爾德首頁ffect晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 690K |
| 代理商： | SDM4884 |
30
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Surface Mount Package.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
=25 C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
V
Gate-Source Voltage
V
GS
20
V
Drain Current-Continuous @ T
J
=125 C
-Pulsed
I
D
11
44
1.7
2.5
A
A
A
W
I
DM
Drain-Source Diode Forward Current
I
S
Maximum Power Dissipation
P
D
Operating Junction and Storage
Temperature Range
T
J
, T
STG
-55 to 150
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
R
JA
50
/W
C
a
a
a
b
(300ms Pulse Width)
SamHop Microelectronics Corp.
1
PRODUCT SUMMARY
V
DSS
I
D
R
DS(ON) ( m
) Max
30V
11A
10.5 @ V
GS
= 10V
16.5 @ V
GS
= 4.5V
FEATURES
Super high dense cell design for low R
DS(ON
).
Rugged and reliable.
SO-8
1
May ,2004 ver 1.1
SDM4884
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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