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參數(shù)資料
| 型號： | SDB20S30 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | Silicon Carbide Schottky Diode |
| 中文描述： | 碳化硅肖特基二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 216K |
| 代理商： | SDB20S30 |
2001-09-07
Page 3
SDP20S30
SDB20S30
Preliminary data
Electrical Characteristics
,at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
(per leg)
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
AC Characteristics
Total capacitive charge
1)
V
R
=200V,
I
F
=10A,
d
i
F
/d
t
=-200A/μs,
T
j
=150°C
Switching time
2)
Q
c
-
23
-
nC
V
R
=200V,
I
F
=10A,
d
i
F
/d
t
=-200A/μs,
T
j
=150°C
Total capacitance
t
rr
-
n.a.
-
ns
V
R
=0V,
T
C
=25°C,
f
=1MHz
V
R
=150V,
T
C
=25°C,
f
=1MHz
V
R
=300V,
T
C
=25°C,
f
=1MHz
C
-
-
-
600
55
40
-
-
-
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SDP20S30 | Silicon Carbide Schottky Diode |
| SDM150 | Silicon Power Rectifier |
| SDM15002 | Silicon Power Rectifier |
| SDM15004 | Silicon Power Rectifier |
| SDM15006 | Silicon Power Rectifier |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SDB20S30_07 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Silicon Carbide Schottky Diode Switching behavior benchmark No reverse recovery |
| SDB20S30NT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Diode Schottky 300V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R |
| SDB20S30T | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SCHTTKYDUALRECTSI |
| SDB2200E70 | 制造商:SUNTAC 制造商全稱:SUNTAC 功能描述:silicon bilateral voltage triggered switch |
| SDB2200F1 | 制造商:SUNTAC 制造商全稱:SUNTAC 功能描述:silicon bilateral voltage triggered switch |
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