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參數(shù)資料
| 型號： | SDA2506-5 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | Nonvolatile Memory 1-Kbit E2PROM |
| 中文描述： | 128 X 8 3-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8 |
| 文件頁數(shù)： | 7/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 147K |
| 代理商： | SDA2506-5 |
SDA 2506-5
Semiconductor Group
21
Characteristics
T
A
= 25 C
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Test Condition
min.
typ.
max.
Supply voltage
V
CC
I
CC
4.75
5
5.25
V
Supply current
3
mA
V
CC
= 5.25 V
Inputs
Input voltage (D,
Φ,
CE)
Input voltage (D,
Φ,
CE)
Input current (D,
Φ,
CE)
V
L
V
H
I
H
0.8
V
2.4
V
μ
A
10
V
H
= 5.25 V
Data Output D (open drain)
L-output current
I
L
I
H
0.5
μ
A
μ
A
V
L
= 0.8 V
V
H
= 5.25 V
H-output current
10
Clock Pulse
Φ
High duration
t
H
t
L
t
2.5
60
μ
s
μ
s
μ
s
Low duration
5
Time between rising
and falling edge CE to D
2.5
Time between rising
and falling edge CE to
Φ
Data hold (before/after
Φ
falling edge)
Data delay (after
Φ
falling
edge)
t
CE
5
μ
s
t
HD
2.5
μ
s
t
DD
2.5
μ
s
Rise time
t
R
t
F
t
ER
t
WR
t
GL
1
μ
s
μ
s
ms
Fall time
1
Erase time
10
20
Write time
10
20
ms
Total erase
20
ms
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