參數(shù)資料
型號： SD57030
廠商： 意法半導體
英文描述： RF POWER TRANSISTORS The LdmoST FAMILY
中文描述： 射頻功率晶體管LdmoST家庭
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大?。?/td> 262K
代理商： SD57030
1/7
March, 24 2003
SD57030
RF POWER TRANSISTORS
The LdmoSTFAMILY
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE LATERAL
MOSFETs
EXCELLENT THERMAL STABILITY
COMMON SOURCE CONFIGURATION
P
OUT
= 30 W WITH 13 dB gain @ 945 MHz
BeO FREE PACKAGE
DESCRIPTION
The SD57030 is a common source N-Channel
enhancement-mode lateral Field-Effect RF power
transistor designed for broadband commercial and
industrial applications at frequencies up to 1.0
GHz. The SD57030 is designed for high gain and
broadband performance operating in common
source mode at 28 V. It is ideal for base station
applications requiring high linearity.
PIN CONNECTION
1
3
2
1. Drain
2. Gate
3. Source
M243
(Epoxy Sealed)
ORDER CODE
SD57030
BRANDING
TSD57030
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
CASE
= 25
°
C)
Symbol
V
(BR)DSS
Drain-Source Voltage
V
DGR
Drain-Gate Voltage (R
GS
= 1 M
)
V
GS
Gate-Source Voltage
I
D
Drain Current
P
DISS
Power Dissipation (@ Tc = 70
°
C)
Tj
Max. Operating Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Parameter
Value
Unit
65
V
65
V
+
20
V
4
A
74
W
200
°
C
-65 to + 200
°
C
THERMAL DATA
R
th(j-c)
Junction -Case Thermal Resistance
1.75
°
C/W
相關PDF資料
PDF描述
SD57030-01 RF POWER TRANSISTORS The LdmoSTFAMILY
SD580S SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(VOLTAGE 20 to 100 Volts CURRENT - 5 Ampere)
SD530S SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(VOLTAGE 20 to 100 Volts CURRENT - 5 Ampere)
SD540S SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(VOLTAGE 20 to 100 Volts CURRENT - 5 Ampere)
SD550S SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(VOLTAGE 20 to 100 Volts CURRENT - 5 Ampere)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
SD57030-01 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 N-Ch 65 Volt 4 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
SD57045 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 N-Ch 65 Volt 5 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
SD57045-01 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 N-Ch 65 Volt 5 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
SD57060 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 N-Ch 65 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
SD57060-01 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 N-Ch 65 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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