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參數(shù)資料
| 型號： | SD203R12S15PC |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | FAST RECOVERY DIODES Stud Version |
| 中文描述： | 快速恢復二極管螺柱版本 |
| 文件頁數(shù)： | 9/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 122K |
| 代理商： | SD203R12S15PC |
SD203N/R Series
9
www.irf.com
Bulletin I2064 rev. A 09/94
Fig. 20 - Maximum Total Energy Loss Per Pulse Characteristics
Fig. 21 - Maximum Total Energy Loss Per Pulse Characteristics
1E1
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
1E4
1E1
1
4
2
0.1
0.2
0.4
0.02
0.04
Pulse Basewidth (
μs)
20 joules per pulse
10
0.01
P
Sinusoidal Pulse
T = 125°C, V = 1120V
dv/dt = 1000V/
μs
SD203N/R..S15 Series
tp
1E2
1E3
1E4
1
2
0.2
0.4
Pulse Basewidth (
μs)
10
4
20 joules per pulse
0.1
SD203N/R..S15 Series
Trapezoidal Pulse
T = 125
°C , V = 1120V
dv/dt=1000V/μs, di/dt=50A/μs
RRM
tp
1E1
1E1
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
1E4
1E1
1
4
2
0.1
0.2
0.4
0.02
0.04
Pulse Basewidth (
μs)
20 joules per pulse
10
0.01
P
Sinusoidal Pulse
T = 125°C , V = 1760V
dv/dt = 1000V /
μs
SD203N/R..S20 Series
RRM
tp
1E2
1E3
1E4
1
2
0.2
0.4
Pulse Basewidth (
μs)
10
4
20 joules per pulse
SD203N/R..S20 Series
Trapezoidal Pulse
T = 125
°C, V = 1760V
dv/dt=1000V/μs, di/dt=50A/μs
RRM
1E1
tp
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SD203R12S15PSC | SEMICONDUCTOR DEVICE, TRANSISTOR, P-CHANNEL MOSFET SOT-89 |
| SD203R12S15PSV | SEMICONDUCTOR DEVICE, TRANSISTOR, P-CHANNEL MOSFET (SOT-89) |
| SD203R12S15PV | FET, N-MOSS, SW 40V, 500MW |
| SD203R20S20MBV | DELAY LINE 0.10NS +-25PS 3SIP |
| SD203R20S20MC | DELAY LINE 0.1NS +-50PS 3SIP |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SD203R12S15PSC | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:FAST RECOVERY DIODES Stud Version |
| SD203R12S15PSV | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:FAST RECOVERY DIODES Stud Version |
| SD203R12S15PV | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:FAST RECOVERY DIODES Stud Version |
| SD203R14S15MBC | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:FAST RECOVERY DIODES Stud Version |
| SD203R14S15MBV | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:FAST RECOVERY DIODES Stud Version |
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