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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SD103B-TR |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類(lèi)： | 整流器 |
| 英文描述： | Diode Small Signal Schottky 30V 2-Pin DO-35 T/R |
| 中文描述： | Schottky (Diodes & Rectifiers) 20mA 30 Volt |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 76K |
| 代理商： | SD103B-TR |
SD103A, SD103B, SD103C
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Rev. 1.7, 06-May-13
2
Document Number: 85754
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TYPICAL CHARACTERISTICS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)
Fig. 1 - Forward Current vs. Forward Voltage
Fig. 2 - Forward Current vs. Forward Voltage
Fig. 3 - Reverse Current vs. Junction Temperature
Fig. 4 - Diode Capacitance vs. Reverse Voltage
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
TEST CONDITION
PART
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Reverse breakdown voltage
IR = 50 μA
SD103A
V(BR)
40
V
SD103B
V(BR)
30
V
SD103C
V(BR)
20
V
Leakage current
VR = 30 V
SD103A
IR
5μA
VR = 20 V
SD103B
IR
5μA
VR = 10 V
SD103C
IR
5μA
Forward voltage drop
IF = 20 mA
VF
370
mV
IF = 200 mA
VF
600
mV
Diode capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
CD
50
pF
Reverse recovery time
IF = IR = 50 mA to 200 mA,
recover to 0.1 IR
trr
10
ns
I F
-
For
w
ard
C
u
rrent
(mA)
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
V
F - Forward Voltage (mV)
16765
1000
100
10
1
0.1
0.01
0.001
I F
-
For
w
ard
C
u
rrent
(A)
0
1
2
3
4
5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
F - Forward Voltage (V)
16766
1
10
100
1000
10 000
20
40
60
80
0
100
120
140
160
T
j - Junction Temperature (°C)
16767
I R
-
Re
v
erse
C
u
rrent
(A)
0
5
10
15
20
25
30
0
1015202530
V
R - Reverse Voltage (V)
16768
C
D
-
Diode
Capacitance
(pF)
f = 1 MHz
5
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