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參數資料
| 型號： | SD101A-TAP |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | SD101A, SD101B, SD101C Small Signal Schottky Diodes |
| 中文描述： | Schottky (Diodes & Rectifiers) 30mA 60 Volt 2A IFSM |
| 文件頁數： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 72K |
| 代理商： | SD101A-TAP |
SD101A, SD101B, SD101C
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Rev. 1.7, 06-May-13
2
Document Number: 85629
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TYPICAL CHARACTERISTICS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)
Fig. 1 - Reverse Current vs. Reverse Voltage
Fig. 2 - Diode Capacitance vs. Reverse Voltage
Fig. 3 - Forward Current vs. Forward Voltage
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
TEST CONDITION
PART
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Reverse breakdown voltage
IR = 10 μA
SD101A
V(BR)
60
V
SD101B
V(BR)
50
V
SD101C
V(BR)
40
V
Leakage current
VR = 50 V
SD101A
IR
200
nA
VR = 40 V
SD101B
IR
200
nA
VR = 30 V
SD101C
IR
200
nA
Forward voltage drop
IF = 1 mA
SD101A
VF
410
mV
SD101B
VF
400
mV
SD101C
VF
390
mV
IF = 15 mA
SD101A
VF
1000
mV
SD101B
VF
950
mV
SD101C
VF
900
mV
Diode capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
SD101A
CD
2.0
pF
SD101B
CD
2.1
pF
SD101C
CD
2.2
pF
I R
-
Rever
s
e
Current
(μA)
0.01
0.1
1
10
100
0
10
1520
2530
3540
4550
V
R - Reverse Voltage (V)
16204
T
j = 125 °C
T
j = 100 °C
T
j = 75 °C
T
j = 50 °C
T
j = 25 °C
5
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
1015
2025
3035
4045
50
V
R - Reverse Voltage (V)
16205
C
D
-
Diode
Capacitance
(pF)
T
j = 25 °C
5
0.01
0.10
1.00
10.00
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
I F
-
For
w
ard
C
u
rrent
(mA)
V
F - Forward Voltage (V)
16206
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PDF描述 |
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