- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374739 > SCH1302 (Sanyo Electric Co.,Ltd.) Ultrahigh-Speed Switching Applications PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | SCH1302 |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 中文描述： | 超高速開關(guān)應(yīng)用 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 28K |
| 代理商： | SCH1302 |
SCH1302
No.7532-2/4
Continued from preceding page.
Ratings
typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID=--1A, VGS=--4V
ID=--0.5A, VGS=--2.5V
ID=--0.1A, VGS=--1.8V
VDS=--10V, f=1MHz
VDS=--10V, f=1MHz
VDS=--10V, f=1MHz
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--2A
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--2A
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--2A
IS=--2A, VGS=0
125
155
195
410
60
40
165
220
280
m
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
9
27
42
38
10
0.6
1.2
--0.88
--1.2
Switching Time Test Circuit
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
0
0
--0.4
--0.8
--1.6
--2.0
--0.2
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
--1.2
0
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--0.1
--0.3
--0.5
--0.7
--0.9
VGS= --1.0V
-15V
-.V
IT05688
0
--0.2
--0.4
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
--1.6
--1.8
--2.0
VDS= --10V
2
°
C
-5
°
C
T=5
°
C
IT02754
-5
-V
-V
-V
ID -- VDS
D
ID -- VGS
D
PW=10
μ
s
D.C.
≤
1%
0V
--4V
VIN
P.G
50
G
S
SCH1302
ID= --1A
RL=10
VDD= --10V
VOUT
VIN
D
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SCH1306 | General-Purpose Switching Device Applications |
| SCH1311 | General-Purpose Switching Device Applications |
| SCH1402 | SCH1402 |
| SCH1417 | SCH1417 |
| SCH1419 | MOS SILICON TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SCH1302-TL-E | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2A SCH6 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| SCH1304 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device |
| SCH1304-TL-E | 制造商:SANYO 功能描述:Pch -30V -2A 145@10V 6SCH Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET P CH 30V 2A SCH6 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
| SCH1305-TL-E | 制造商:SANYO 功能描述:Pch 12V 1.5A rbgU Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET P CH 12V 1.5A SCH6 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
| SCH1306 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。