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參數(shù)資料
| 型號： | SC721 |
| 廠商： | Polyfet RF Devices |
| 英文描述： | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| 中文描述： | 硅柵增強型射頻功率VDMOS晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 37K |
| 代理商： | SC721 |
S1C 1 DIE ID & GM Vs VG
0.01
0.10
1.00
10.00
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
Vgs in Volts
I
Id
gM
S1C 1 DIE CAPACITANCE
1
10
100
1000
0
5
10
15
20
25
30
VDS IN VOLT S
Coss
Ciss
Crss
S C721P in vs P out Freq= 400MHz, VDS = 12.5V, Idq= .2A
0
5
10
15
20
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
Pin in Watts
6.00
8.00
10.00
Pout
Gain
Efficiency = 60%
POLYFET RF DEVICES
POUT VS PIN GRAPH
CAPACITANCE VS VOLTAGE
ID & GM VS VGS
IV CURVE
Zin Zout
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
SC721
S1C 1 DIE IV
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
2
vg=2v
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VVDS IN VOLTS
I
Vg=4v
vg=8v
0
vg=12v
1110 Avenida Acaso, Camarillo, Ca 93012 Tel:(805) 484-4210 FAX: (805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
REVISION 03/28/2001
Tolerance .XX +/-0.01 .XXX +/-.005 inches
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| SCD5580 | Serial Input Dot Addressable Intelligent Display |
| SCD5581 | Serial Input Dot Addressable Intelligent Display |
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參數(shù)描述 |
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