參數(shù)資料
型號(hào)： SBT80-10LS
元件分類： 整流器
英文描述： 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
封裝： TO-220FI, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 36K
代理商： SBT80-10LS
SBT80-10LS
No. A0347-2/3
Package Dimensions
Electrical Connection
unit : mm
7509-001
Anode
Cathode
16.0
14.0
3.6
3.5
7.2
16.1
0.7
2.55
2.4
1.2
0.9
0.75
0.6
1.2
4.5
2.8
12 3
10.0
3.2
1 : Anode
2 : Cathode
3 : Anode
SANYO : TO-220FI(LS)
0
1.0
10
2.5
2.0
1.0
0.5
1.5
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
2
3
0.01
0.1
IF -- VF
IT08511
0
10
1.0
3
100
7
5
7
3
2
5
7
3
2
5
20
40
60
80
100
120
IR -- VR
(3)
(1)
0
8
10
14
12
6
2
4
2
110
69
8
7
45
3
PF(AV) -- IO
IT08513
(4)
(3)
(1)
0
4.0
3.0
5.0
7.0
6.0
2.0
1.0
3.5
2.5
4.5
6.5
5.5
1.5
0.5
100
120
80
60
40
20
PR(AV) -- VRM
(2)
(4)
(2)
Tj=150
°C
25°C
IT08512
IT08514
Tj=150
°C max
150°
C typ
125
°C typ
100
°C typ
Forward Voltage, VF -- V
Forward
Current,
I
F
--
A
Reverse Voltage, VR -- V
Reverse
Current,
I
R
--
m
A
Peak Reverse Voltage, VRM -- V
A
verage
Reverse
Power
Dissipation,
P
R
(A
V)
-
W
Average Output Current, IO -- A
A
verage
Forward
Power
Dissipation,
P
F
(A
V)
-
W
Represented by max
180
°
360
°
θ
360
°
180
°
360
°
VR
(1)Rectangular wave
θ=300°
(2)Rectangular wave
θ=240°
(3)Rectangular wave
θ=180°
(4)Sine wave
θ=180°
(1)Rectangular wave
θ=60°
(2)Rectangular wave
θ=120°
(3)Rectangular wave
θ=180°
(4)Sine wave
θ=180°
Sine wave
θ
360
°
VR
Rectangular
wave
Rectangular
wave
PR max at Tj=150°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SBT80-10Y 4 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SBX2030 20 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SBX2040 20 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SBX2050 20 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SBX2020 20 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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參數(shù)描述
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SBT80S 制造商:EIC 制造商全稱:EIC discrete Semiconductors 功能描述:SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER DIODES
SBT90 制造商:EIC 制造商全稱:EIC discrete Semiconductors 功能描述:SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER DIODES
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