- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄40078 > SBG1030CT (LITE-ON ELECTRONICS INC) 10 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SBG1030CT |
| 廠商： | LITE-ON ELECTRONICS INC |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 10 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封裝： | PLASTIC, DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | SBG1030CT |
SBG1030CT thru 1045CT
FEATURES
Metal of silicon rectifier,majority carrier conducton
Guard ring for transient protection
Low power loss, high efficiency
High current capability, low VF
High surge capacity
Plastic package has UL flammability classification
94V-0
For use in low voltage,high frequency inverters,free
whelling,and polarity protection applications
MECHANICAL DATA
Case : D PAK molded plastic
Polarity : As marked on the body
Weight : 0.06 ounces, 1.7 grams
2
SBG1030CT
30
21
30
10
125
0.55
-55 to +125
-55 to +150
3.0
0.5
SBG1035CT
35
24.5
35
SBG1040CT
40
28
40
SBG1045CT
45
31.5
45
50
D PAK
2
All Dimensions in millimeter
DIM.
MIN.
MAX.
A
C
D
E
F
G
H
B
9.65
10.69
15.88
14.60
8.25
9.25
1.40
-----
0.51
1.14
2.29
2.79
2.29
2.79
1.14
2.92
K
J
I
1.40
2.03
0.64
0.30
4.37
4.83
D
PAK
2
PIN 1
PIN 2
K
HEATSINK
K
J
I
H
F
D
C
A
G
E
B
1
2
K
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
REVERSE VOLTAGE - 30 to 45 Volts
FORWARD CURRENT - 10 Amperes
TJ
TSTG
C/W
V
A
V
UNIT
V
mA
VRMS
VDC
VRRM
I(AV)
IFSM
VF
Maximum Average Forward
Rectified Current (See Fig.1)
@TC
=95 C
Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC METHOD)
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum forward Voltage
at 5A DC (Note 1)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
Typical Thermal Resistance (Note 2)
R0JC
CHARACTERISTICS
SYMBOL
IR
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
CJ
Typical Junction Capacitance
per element (Note 3)
pF
200
@TJ =100 C
@TJ =25 C
NOTES : 1. 300us Pulse Width, 2% Duty Cycle.
2. Thermal Resistance Junction to Case.
3. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
C
SEMICONDUCTOR
LITE-ON
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
℃
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
REV. 3, Feb-2009, KTHB02
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SBG1030L | 10 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SBG1040CT-T | 10 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SBG1045CT-T | 10 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SBG1645CT-T | 16 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SBG2040CT-BP | 20 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SBG1030CT_1 | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:10A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
| SBG1030CT-T | 功能描述:DIODE SCHOTTKY CC 30V 10A RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 二極管，整流器 - 陣列 系列:- 其它有關(guān)文件:STTH10LCD06C View All Specifications 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:1µA @ 600V 電流 - 平均整流 (Io)（每個(gè)二極管）:5A 電壓 - (Vr)（最大）:600V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):50ns 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 二極管配置:1 對(duì)共陰極 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-10107-2 |
| SBG1030CT-T-F | 功能描述:肖特基二極管與整流器 10A 30V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
| SBG1030L | 制造商:SIRECTIFIER 制造商全稱:Sirectifier Semiconductors 功能描述:肖特基勢(shì)壘二極管Schottky Barrier Diodes，低壓降肖特基勢(shì)壘二極管Low VF Schottky Barrier Diodes，Tj = -40°C ~ 125°C, Tjm = 125°C。 |
| SBG1030L-F | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:10A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。