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參數(shù)資料
| 型號： | SB340 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 339K |
| 代理商： | SB340 |
www.vishay.com
2
Document Number 88719
14-Jul-05
SB320 thru SB360
Vishay General Semiconductor
Electrical Characteristics
TA = 25 °C unless otherwise specified
Notes:
(1) Pulse test: 300 s pulse width, 1 % duty cycle
Thermal Characteristics
TA = 25 °C unless otherwise specified
Notes:
(1) Thermal resistance from junction to lead vertical P.C.B. mounting, 0.500" (12.7 mm) lead length with
2.5 x 2.5"(63.5 x 63.5 mm) copper pad
Ratings and Characteristics Curves
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Parameter
Test condition
Symbol
SB320
SB330
SB340
SB350
SB360
Unit
Maximum instantaneous forward
voltage
at 3.0 A(1)
VF
0.49
0.68
V
Maximum instantaneous reverse
current at rated DC blocking
voltage(1)
TA = 25 °C
TA = 100 °C
IR
0.5
mA
20
10
Parameter
Symbol
SB320
SB330
SB340
SB350
SB360
Unit
Typical thermal resistance(1)
RθJA
RθJL
30
10
°C/W
Figure 1. Forward Current Derating Curve
0
25
50
75
100
125
150
175
0
1.0
2.0
3.0
4.0
Resistive or Inductive Load
0.375” (9.5 mm) lead length
SB320 - SB340
SB350 & SB360
Lead Temperature (°C)
A
v
er
age
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(
A)
Figure 2. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
1
10
100
30
0
60
90
120
150
Number of Cycles at 60 Hz
Pe
a
k
F
o
rw
ard
S
u
rge
C
u
rrent
(A)
TJ = TJ max.
8.3 ms Single Half Sine-Wave
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SB320-E3 | 3 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| SB350-E3 | 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| SB360-E3 | 3 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| SB360 | 3 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| SB330-E3 | 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SB340 _AY _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| SB340 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:DIODE SCHOTTKY 3A 40V |
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