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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SA575NG |
| 廠商： | ON Semiconductor |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/16頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC COMPANDOR 2CHAN GAIN 20-DIP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 18 |
| 類型： | 壓縮擴(kuò)展器 |
| 應(yīng)用： | 蜂窩式無(wú)線電，混頻器 |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 封裝/外殼： | 20-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 20-PDIP |
| 包裝： | 管件 |
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SA575
http://onsemi.com
14
PACKAGE DIMENSIONS
20
1
11
10
B
20X
H
10X
C
L
18X
A1
A
SEATING
PLANE
q
h
X
45
_
E
D
M
0.25
M
B
M
0.25
S
A
S
B
T
e
T
B
A
DIM
MIN
MAX
MILLIMETERS
A
2.35
2.65
A1
0.10
0.25
B
0.35
0.49
C
0.23
0.32
D
12.65
12.95
E
7.40
7.60
e
1.27 BSC
H
10.05
10.55
h
0.25
0.75
L
0.50
0.90
q
0
7
NOTES:
1. DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.
2. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES
PER ASME Y14.5M, 1994.
3. DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE MOLD
PROTRUSION.
4. MAXIMUM MOLD PROTRUSION 0.15 PER SIDE.
5. DIMENSION B DOES NOT INCLUDE DAMBAR
PROTRUSION. ALLOWABLE PROTRUSION
SHALL BE 0.13 TOTAL IN EXCESS OF B
DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL
CONDITION.
__
SO20 WB
CASE 751D05
ISSUE G
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI4113-D-ZT1 | IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP |
| SI51210-A01AFM | IC CLK GEN FACTORY CONFIG 6TDFN |
| SI51211-A01AFM | IC CLK GEN FACTORY CONFIG 8TDFN |
| SI51214-A01AFM | IC CLK GEN FACTORY CONFIG 6TDFN |
| SI51219-A01AFT | IC CLK GEN FACTORY CONFIG 8TSSOP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SA576 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Low power compandor |
| SA57608 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:One-cell Lithium-ion battery protection with over/undercharge and overcurrent protection |
| SA57608XD | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:One-cell Lithium-ion battery protection with over/undercharge and overcurrent protection |
| SA5760-SM | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:SERVICE MANUAL |
| SA576D | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Low Power Compandor |
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