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參數(shù)資料
| 型號： | S71PL064JB0-0B |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | STACKED MULTI CHIP PRODUCT FLASH MEMORY AND RAM |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產(chǎn)品，閃存和RAM |
| 文件頁數(shù)： | 89/196頁 |
| 文件大?。?/td> | 5729K |
| 代理商： | S71PL064JB0-0B |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁當(dāng)前第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁
August 12, 2004 S29PL127J_064J_032J_MCP_00_A3
S29PL127J/S29PL064J/S29PL032J for MCP
89
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
Erase/Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the “Erase And Programming Performance” section for more information.
Table 25. Erase and Program Operations
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std
Description
55
60
65
70
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
55
60
65
70
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
ASO
Address Setup Time to OE# low during toggle bit
polling
Min
15
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min
30
35
ns
t
AHT
Address Hold Time From CE# or OE# high during
toggle bit polling
Min
0
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min
25
30
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OEPH
Output Enable High during toggle bit polling
Min
10
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE# Setup Time
Min
0
ns
t
WHEH
t
CH
CE# Hold Time
Min
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Pulse Width
Min
35
40
ns
t
WHDL
t
WPH
Write Pulse Width High
Min
20
25
ns
t
SR/W
Latency Between Read and Write Operations
Min
0
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation (Note 2)
Typ
6
μs
t
WHWH1
t
WHWH1
Accelerated Programming Operation (Note 2)
Typ
4
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.5
sec
t
VCS
V
CC
Setup Time (Note 1)
Min
50
μs
t
RB
Write Recovery Time from RY/BY#
Min
0
ns
t
BUSY
Program/Erase Valid to RY/BY# Delay
Max
90
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S71PL064JB0-0U | STACKED MULTI CHIP PRODUCT FLASH MEMORY AND RAM |
| S71PL127J | STACKED MULTI CHIP PRODUCT FLASH MEMORY AND RAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| S71PL064JB0BAW0Z0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Based MCPs |
| S71PL064JB0BAW0Z2 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Based MCPs |
| S71PL064JB0BAW0Z3 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Based MCPs |
| S71PL064JB0BAW9Z0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Based MCPs |
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