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參數(shù)資料
| 型號： | S29WS128N0LBFI111 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 256/128/64 MEGABIT CMOS 1.8 VOLT ONLY SIMULTANEOUS READ/WRITE BURST MODE FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 256/128/64兆位的CMOS 1.8伏只有同時讀/寫突發(fā)模式閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 77/99頁 |
| 文件大?。?/td> | 1091K |
| 代理商： | S29WS128N0LBFI111 |
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January 25, 2005 S29WS-N_00_G0
77
Ad vance
Information
Notes:
1. PA = Program Address, PD = Program Data, VA = Valid Address for reading status bits.
2. “In progress” and “complete” refer to status of program operation.
3. A23–A14 for the WS256N (A22–A14 for the WS128N, A21–A14 for the WS064N) are don’t care during
command sequence unlock cycles.
4. CLK can be either VIL or VIH.
5. The Asynchronous programming operation is independent of the Set Device Read Mode bit in the
Configuration Register.
Figure 11.14. Asynchronous Program Operation Timings
OE#
CE#
Data
Addresses
AVD#
WE#
CLK
VCC
555h
PD
tAS
tAVSW
tAVHW
tAH
tWC
tWPH
PA
tVCS
tWP
tDH
tCH
In
Progress
tWHWH1
VA
Complete
VA
Program Command Sequence (last two cycles)
Read Status Data
tDS
VIH
VIL
tAVDP
A0h
tCS
tCAS
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PDF描述 |
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