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參數(shù)資料
| 型號： | S29JL032H70TFI412 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封裝： | LEAD FREE, MO-142DD, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 29/66頁 |
| 文件大?。?/td> | 1556K |
| 代理商： | S29JL032H70TFI412 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁當(dāng)前第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁
2005
年
3
月
9
日
S29JL032HA11
S29JL032H
29
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
SecSi
セクタ領(lǐng)域は，下記のいずれかの方法により，プロテクトを設(shè)定できます。
「
Enter SecSi Sector Region
」（
SecSi
セクタ領(lǐng)域開始）コマンドシーケンス（
3
サイ
クル）をライトした後，
図
2
に示すセクタプロテクト設(shè)定アルゴリズム（システム実
裝時(shí)）に従います（ただし，
RESET#
を
V
ID
にセットする必要があります）。この方
法では，いずれの端子電圧も高電圧にすることなく，デバイスを?qū)g裝したまま
SecSi
セクタ領(lǐng)域をプロテクトすることができます。ただし，この方法が適用できるのは
SecSi
セクタのみとなります。
「
Enter SecSi Sector Region
」（
SecSi
セクタ領(lǐng)域開始）コマンドシーケンス（
3
サイ
クル）をライトした後，「セクタ
/
セクタブロック
プロテクト設(shè)定
/
プロテクト解除」
セクションで説明されているセクタ保護(hù)方法を使用します。
SecSi
セクタをロックして検証したら，システム側(cè)から「
Exit SecSi Sector Region
」
（
SecSi
セクタ領(lǐng)域終了）コマンドシーケンスをライトして，アレイの殘りのリード，ライ
トに戻ります。
いったん
SecSi
セクタをプロテクトすると，
SecSi
セクタ領(lǐng)域のプロテクトを解除する方
法はありませんし，
SecSi
セクタメモリ空間のいずれのビットも変更することはできませ
んので，
SecSi
セクタのロックは十分注意して行なってください。
ハードウェアデータプロテクト
プログラム動(dòng)作およびイレーズ動(dòng)作に対するアンロックコマンドシーケンス條件により，
誤ったライト動(dòng)作からデータを保護(hù)しています（コマンドについては，表
13
を參照して
ください）。また，
V
CC
電圧の投入および切斷による変動(dòng)時(shí)に発生する誤ったシステムレベ
ル信號，あるいはシステムノイズにより，不慮のイレーズやプログラミングが行なわれな
いようにするため，下記のハードウェアデータプロテクト機(jī)能が備えられており，障害を
回避しています。
低
V
CC
時(shí)のライト禁止
V
CC
が
V
LKO
未満になると，デバイスはすべてのライトサイクルを受けつけません。これ
により，
V
CC
電圧の投入および切斷時(shí)に，データをプロテクトします。コマンドレジスタ
および內(nèi)部プログラム
/
イレーズ回路はすべてディセーブルされ，デバイスはリードモー
ドにリセットされます。
V
CC
が
V
LKO
以上に復(fù)帰するまで，ライトはすべて無視されます。
V
CC
が
V
LKO
以上の場合は，意図しないライトを回避するため，システム側(cè)は正しい信號
を制御ピンに供給しなければなりません。
ライトパルス「グリッチ」プロテクト
OE#
，
CE#
または
WE#
に
5 ns
（標(biāo)準(zhǔn)）未満のノイズパルスが発生しても，ライトサイ
クルは開始されません。
論理的禁止
OE# = V
IL
，
CE# = V
IH
，または
WE# = V
IH
のいずれかに保持されると，ライトサイク
ルが禁止されます。ライトサイクルを開始するには，
CE#
および
WE#
を論理「
0
」に，
OE#
を論理「
1
」にセットしなければなりません。
電源投入時(shí)のライト禁止
電源投入時(shí)，
WE# = CE# = V
IL
，
OE# = V
IH
になると，デバイスは
WE#
の立上りにお
けるコマンドを無視します。內(nèi)部のステートマシンは，電源投入時(shí)，自動(dòng)的にリードモー
ドにリセットされます。
共通フラッシュメモリインタフェース（
CFI
）
共通フラッシュメモリインタフェース（
CFI
）仕様は，デバイスとホストシステム間のソ
フトウェア呼び出しハンドシェークに関する骨子を定めており，デバイスファミリのどの
デバイスでも，ベンダ獨(dú)自のソフトウェアアルゴリズムを使用できるようにしています。
したがって，指定されたフラッシュデバイスファミリでは，デバイスや
JEDEC ID
に関係
なく，上位および下位互換性のあるソフトウェアサポートが可能になっています。また，
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29JL032H70TFI413 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H70TFI420 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H70TFI421 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI023 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI210 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29JL032H70TFI413 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H70TFI420 | 功能描述:閃存 3V 32Mb Float Gate btm boot 2Banks 70s RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| S29JL032H70TFI420(H) | 制造商:Spansion 功能描述:Cut Tape |
| S29JL032H70TFI421 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H70TFI422 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
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