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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S29JL032H70TAI223 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封裝： | MO-142DD, TSOP-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 15/66頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1556K |
| 代理商： | S29JL032H70TAI223 |
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2005
年
3
月
9
日
S29JL032HA11
S29JL032H
15
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
アクセラレーションプログラム動(dòng)作
このデバイスは，
ACC
機(jī)能により，アクセラレーションプログラム動(dòng)作が可能です。これ
は，
WP# / ACC
端子により実現(xiàn)される
2
種類の機(jī)能の一つです。この機(jī)能は，本來(lái)，工
場(chǎng)での製造スループットを高めるために設(shè)計(jì)されたものです。
システムにより，この端子に
V
HH
がアサートされると，デバイスは自動(dòng)的に上記のアン
ロックバイパスモードに入り，プロテクトされたセクタをすべて一時(shí)的に解除し，端子に
印加された高電圧によりプログラム動(dòng)作に要する時(shí)間を短縮します。システムは，アンロッ
クバイパスモードに必要なプログラムコマンドシーケンス（
2
回サイクル）を使用するこ
とになります。
WP# / ACC
端子の
V
HH
を解除すると，デバイスは通常の動(dòng)作に戻ります。
ただし，アクセラレーションプログラミング以外の動(dòng)作を行なう場(chǎng)合は，
WP# / ACC
端
子に
V
HH
をアサートしないでください。
他の動(dòng)作時(shí)の場(chǎng)合，デバイスに損傷を與えること
があります。また，デバイスの動(dòng)作が不安定になりますので，
WP# / ACC
端子をフロー
ティングまたは未接続のままにしないでください。関連する情報(bào)として，
25
ページの「ラ
イトプロテクト（
WP#
）」を參照してください。
オートセレクト機(jī)能
システムからオートセレクトコマンドシーケンスがライトされると，デバイスはオートセ
レクトモードになります。このモードのとき，システムは（メモリアレイとは別個(gè)の）內(nèi)
部レジスタ
DQ15
～
DQ0
からオートセレクトコードをリードすることができます。この
モードのタイミングは標(biāo)準(zhǔn)のリードサイクルとなります。詳しくは，「オートセレクトモー
ド」および「オートセレクトコマンドシーケンス」を參照してください。
遅延時(shí)間ゼロで同時(shí)に実行可能なリード
/
このデバイスは，メモリ內(nèi)のあるバンクに対してプログラムまたはイレーズ動(dòng)作を?qū)g行し
ながら，別のいずれかのメモリバンクからデータをリードすることができます。また，イ
レーズ動(dòng)作を中斷して，同じバンク內(nèi)の（イレーズ対象セクタ以外の）別の位置からデー
タをリードしたり，同位置へデータをプログラムすることもできます。同時(shí)実行時(shí)，リー
ド
/
ライトサイクルが切替遅延ゼロで開始する様子を
図
20
に示します。プログラム中の
リード動(dòng)作およびイレーズ中のリード動(dòng)作に関する現(xiàn)行仕様を「
DC
特性」の表の
I
CC6
お
よび
I
CC7
にそれぞれ示します。
ライト動(dòng)作
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29JL032H70TAI310 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H70TAI311 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H70TAI312 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H70TAI313 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H70TAI320 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29JL032H70TAI310 | 功能描述:閃存 32M (4MX8/2MX16) Simultaneous R/W RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| S29JL032H70TAI311 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H70TAI312 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H70TAI313 | 功能描述:閃存 32MB CMOS 3.0V 70ns TOP SECTOR RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| S29JL032H70TAI320 | 功能描述:閃存 32MB CMOS 3.0V 70ns BTM SECTOR RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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