參數(shù)資料
型號: S29JL032H70TAI013
廠商: SPANSION LLC
元件分類: DRAM
英文描述: 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
中文描述: 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48
封裝: MO-142DD, TSOP-48
文件頁數(shù): 13/66頁
文件大小: 1556K
代理商: S29JL032H70TAI013
2005
3
9
S29JL032HA11
S29JL032H
13
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
デバイス
バス動作
このセクションでは,デバイス
バスの動作條件および使用方法について説明します。デバ
イス
バス動作は,內部コマンドレジスタにより開始します。コマンドレジスタ自身は,ア
ドレス可能なメモリロケーションを占有しません。このレジスタは,コマンドならびにコ
マンドの実行に必要なアドレスやデータ情報を格納するためのラッチとなります。レジス
タの內容は,內部のステートマシンへの入力となります。ステートマシンからの出力によ
り,デバイスの機能が制御されます。表
1
にデバイス
バス動作と各入力條件,制御レベ
ル,ならびに出力をまとめてあります。それぞれの動作についてはこの後,詳しく説明し
ます。
1. S29JL032H
デバイス
バス動作
凡例:
L =
論理
Low = V
IL
H =
論理
High = V
IH
,
V
ID
= 11.5–12.5 V
,
V
HH
= 9.0
±
0.5V
X =
任意,
SA =
セクタアドレス,
A
IN
=
アドレス入力,
D
IN
=
データ入力,
D
OUT
=
データ出力
注:
1.
アドレスは,ワードモード時
A20
A0
BYTE# = V
IH
),バイトモード時
A20
A-1
BYTE# = V
IL
)となります。
2.
セクタプロテクト機能,およびセクタプロテクト解除機能は,プログラミング裝置からも実行できます。
「セクタ
/
セク
タブロック
プロテクト設定
/
プロテクト解除」
のセクションを參照してください。
3. WP# / ACC = V
IL
印加時,一番外側のブートセクタはプロテクトされたままになります。
WP# / ACC = V
IH
を印加すると,一
番外側のブートセクタ
2
個のプロテクト狀態(tài)は,セクタ
/
セクタブロック
プロテクト設定
/
プロテクト解除」で説明している方
法により設定された直前の狀態(tài)(プロテクトまたはプロテクト解除)に従います。
WP# / ACC = V
HH
を印加すると,セクタは
すべてプロテクト解除されます。
動作
CE#
OE#
WE# RESET#
WP#/ACC
(注
1
アドレス
DQ15
DQ8
DQ7
DQ0
BYTE# =
V
IH
BYTE# = V
IL
リード
L
L
H
H
L/H
A
IN
D
OUT
DQ14–DQ8 = High-
Z, DQ15 = A-1
D
OUT
ライト
L
H
L
H
(注
3
A
IN
D
IN
D
IN
スタンバイ
V
CC
±
0.3 V
X
X
V
CC
±
0.3 V
L/H
X
High-Z
High-Z
High-Z
出力ディセーブル
L
H
H
H
L/H
X
High-Z
High-Z
High-Z
リセット
X
X
X
L
L/H
X
High-Z
High-Z
High-Z
セクタプロテクト
(注
2
L
H
L
V
ID
L/H
SA, A6 = L,
A1 = H, A0 = L
X
X
D
IN
セクタプロテクト
解除(注
2
L
H
L
V
ID
(注
3
SA, A6 = H,
A1 = H, A0 = L
X
X
D
IN
一時的セクタプロ
テクト解除
X
X
X
V
ID
(注
3
A
IN
D
IN
High-Z
D
IN
相關PDF資料
PDF描述
S29JL032H70TAI020 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
S29JL032H70TAI021 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
S29JL032H70TAI022 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
S29JL032H70TAI023 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
S29JL032H70TAI210 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
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