參數(shù)資料
型號(hào): S29JL032H60TFI423
廠商: SPANSION LLC
元件分類: DRAM
英文描述: 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
中文描述: 2M X 16 FLASH 3V PROM, 60 ns, PDSO48
封裝: MO-142DD, LEAD FREE, TSOP-48
文件頁(yè)數(shù): 37/66頁(yè)
文件大?。?/td> 1556K
代理商: S29JL032H60TFI423
2005
3
9
S29JL032HA11
S29JL032H
37
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
イレーズ動(dòng)作のアルゴリズムを図
4
に示します。パラメータについては,「
AC
特性」のセ
クションの「イレーズおよびプログラム動(dòng)作」の表を,タイミング図については,
19
參照してください。
セクタイレーズコマンドシーケンス
セクタイレーズは,
6
バスサイクル動(dòng)作になります。アンロックサイクル(
2
回)の後に,
プログラムセットアップコマンドをライトして,セクタイレーズコマンドシーケンスを開(kāi)
始します。さらに,アンロックサイクル(
2
回)の後に,消去するセクタアドレスとセク
タイレーズコマンドを続けます。セクタイレーズコマンドシーケンスのアドレスおよび
データ條件を表
13
に示します。
イレーズの前にプリプログラムする必要はありません。自動(dòng)イレーズアルゴリズムが自動(dòng)
的にプログラムし,電気的な消去を行なう前に,セクタ全體がすべてゼロのデータパター
ンになっているかが検証されます。これらの動(dòng)作中,システム側(cè)からは制御やタイミング
を取る必要はありません。
コマンドシーケンスをライトすると,
80 μs
のセクタイレーズタイムアウトがスタートし
ます。このタイムアウト時(shí)間の間に,別のセクタアドレスとセクタイレーズコマンドをラ
イトすることができます。セクタイレーズバッファはどのシーケンスでもロードすること
ができ,セクタ數(shù)の範(fàn)囲は
1
セクタから全セクタまでの間となります。これらのサイクル
を追加する時(shí)間は
80 μs
未満でなければなりません。この時(shí)間を超えると,イレーズ動(dòng)作
が開(kāi)始されます。タイムアウト時(shí)間を過(guò)ぎた後にライトされたセクタイレーズアドレスお
よびコマンドは,無(wú)視される場(chǎng)合があります。したがって,この時(shí)間の間はプロセッサの
割り込みを禁止して,コマンドをすべてライトできるようにしてください。最後のセクタ
イレーズコマンドをライトしたら,割り込みをイネーブルしてかまいません。
ンクはリードモードに戻ります。
したがって,システムはコマンドシーケンスと,他のア
ドレスやコマンドを再度ライトしなければなりません。
タイムアウ
ト時(shí)間內(nèi)にセクタイレーズまたはイレーズサスペンド以外のコマンドをライトすると,バ
システムは
DQ3
をモニタし,セクタイレーズタイマがタイムアウトしたかどうかを調(diào)べる
ことができます(「
DQ3
:セクタイレーズタイマ」のセクションを參照してください)。タ
イムアウトは,コマンドシーケンスの最後の
WE#
の立上り,または
CE#
パルス(の最初
の立上り)から始まります。
自動(dòng)イレーズアルゴリズムが完了すると,バンクはデータアレイのリード狀態(tài)に戻り,ア
ドレスはラッチされなくなります。自動(dòng)イレーズ動(dòng)作の実行中でも,システムはイレーズ
の対象となっていないバンクからデータをリードすることができます。システムは,
DQ7
,
DQ6
DQ2
,または
RY / BY#
をリードすることにより,イレーズ対象バンクのイレーズ
動(dòng)作の狀態(tài)を調(diào)べることができます。これらのステータスビットについては,「ライト動(dòng)作
ステータス」のセクションを參照してください。
いったん,セクタイレーズ動(dòng)作がスタートすると,実行可能なコマンドはイレーズサスペ
ンドコマンドのみとなります。これ以外のコマンドはすべて無(wú)視されます。ただし,
ドウェアリセット
を?qū)g行すると,直ちにイレーズ動(dòng)作が終了します。このような場(chǎng)合,バ
ンクがデータアレイのリード狀態(tài)に戻ったら,セクタイレーズコマンドシーケンスを再度
実行して,データの完全性を確保してください。また,イレーズ動(dòng)作中は,
SecSi
セクタ
機(jī)能,オートセレクト機(jī)能,および
CFI
機(jī)能は使用できません。
ハー
イレーズ動(dòng)作のアルゴリズムを図
4
に示します。パラメータについては,「
AC
特性」セク
ションの「イレーズおよびプログラム動(dòng)作」の表を,タイミング図については,
19
參照してください。
相關(guān)PDF資料
PDF描述
S29JL032H70TAI010 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
S29JL032H70TAI011 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
S29JL032H70TAI012 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
S29JL032H70TAI013 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
S29JL032H70TAI020 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
S29JL032H70BAI320 功能描述:閃存 32MB CMOS 3.0V 70ns BTM SECTOR RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
S29JL032H70BFI310 功能描述:閃存 32MB CMOS 3.0V 70ns TOP SECTOR RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
S29JL032H70BFI320 功能描述:閃存 32MB CMOS 3.0V 70ns BTM SECTOR RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
S29JL032H70TAI010 功能描述:閃存 32MB CMOS 3.0V 70ns TOP SECTOR RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
S29JL032H70TAI011 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY