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參數(shù)資料
| 型號： | S29JL032H60TFI420 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 60 ns, PDSO48 |
| 封裝： | MO-142DD, LEAD FREE, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 3/66頁 |
| 文件大?。?/td> | 1556K |
| 代理商： | S29JL032H60TFI420 |
第1頁第2頁當前第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁
本資料には，
Spansion LLC
で開発中の製品情報が記載されています。この情報は，お客様が本製品を評価される際にお役立ていただくことを目的としています。
Spansion LLC
は事前の通知なしに，當該情報を変更したり，製品の製造を中止する場合があります。
文書番號
S29JL032H_J
改定
A
修正
11
発行日
2005
年
3
月
9
日（
S29JL032H_A1 August 5, 2004
）
ADVANCE
INFORMATION
S29JL032H
32M
ビット（
4M
×
CMOS 3.0 V
単一電源，リード
/
フラッシュメモリ
8
ビット
/ 2M
×
16
ビット）
ライト同時実行，
特徴
アーキテクチャ
リード
/
プログラム同時実行
—
バンク內(nèi)においてイレーズ
/
プログラム機能を実行しなが
ら，別のバンクからデータをリードすることができます。
—
リード
/
ライト動作間の切替遅延ゼロ
マルチバンクアーキテクチャ
— 4
タイプのバンクアーキテクチャを用意しています（表
2
を參照してください）。
ブートセクタ
—
デバイス內(nèi)にトップとボトムブートセクタを用意
—
イレーズ可能なセクタの組合せは任意
0.13 μm
プロセステクノロジを採用
SecSi
（セキュアドシリコン）セクタ：
256
バイトセクタを別
途使用可
—
工場にてロック設定し特定可能：
工場にてランダムに設定
するセキュアな電子シリアル番號用として
16
バイトを用
意，オートセレクト機能により工場によるロック設定を検
証可能。
—
お客様にてロック可能：
ワンタイムプログラムのみ可能。
いったんロックすると，データの変更は不可。
消費電力ゼロ動作
—
最新の電力制御回路により，動作待機時の消費電力をほぼ
ゼロに抑制します。
JEDEC
規(guī)格に準拠
—
端子配列およびソフトウェアは単一電源フラッシュ規(guī)格と
互換性保持
製造には
パッケージオプション
48
ピン
TSOP
（シンスモールアウトラインパッケージ）
性能
高性能
—
高速アクセスタイム：
60 ns
—
プログラム時間：
4 μs /
ワード（標準）（高速プログラム機
能適用時）
超低消費電力（標準値）
—
アクティブリード電流：
2 mA
（
1 MHz
）
—
アクティブリード電流：
10 mA
（
5 MHz
）
—
スタンバイまたはオートスリープモード時：
200 nA
1,000,000
回（
20
年（
Typ.
セクタ當たりの消去回數(shù)
Typ.
）
データ保持能力：
）
ソフトウェアの特徴
共通フラッシュメモリインタフェース（
CFI
/
イレーズレジューム
—
イレーズ動作を中斷して，イレーズの対象となっていない
セクタからのデータのリード，または當該セクタへのデー
タのプログラムを実行し，その後，イレーズ動作を再開す
ることができます。
Data#
ポーリングおよびトグルビット
—
プログラムまたはイレーズサイクルの狀態(tài)をソフトウェア
的に検出する機能を搭載
）をサポート
イレーズサスペンド
アンロックバイパスプログラムコマンド
—
複數(shù)のワードまたはバイトのプログラミング時間を短縮す
る事ができます。
ハードウェアの特徴
Ready / Busy#
—
プログラムまたはイレーズサイクルの終了をハードウェア
的に検出する機能
RESET#
—
內(nèi)部のステートマシンをハードウェア的にリードモードに
リセットする機能
WP# / ACC
入力端子
—
ライトプロテクト（
WP#
）機能は，セクタのプロテクト設
定狀態(tài)にかかわらず，一番外側のブートセクタ
2
個を保護
します。
—
アクセラレーション（
ACC
）機能によるプログラム時間の
高速化
出力（
RY / BY#
）
ハードウェアリセット端子（
）
セクタプロテクト
—
セクタ內(nèi)へのプログラムまたはイレーズ動作をハードウェ
ア的に禁止する機能
—
一時的セクタプロテクト解除機能により，デバイスをシス
テムに実裝したまま，プロテクトされたセクタ內(nèi)のデータ
を変更可能
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29JL032H60TFI421 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TFI422 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TFI423 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H70TAI010 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H70TAI011 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29JL032H60TFI421 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TFI422 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TFI423 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H70BAI320 | 功能描述:閃存 32MB CMOS 3.0V 70ns BTM SECTOR RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| S29JL032H70BFI310 | 功能描述:閃存 32MB CMOS 3.0V 70ns TOP SECTOR RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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